外延炉

作品数：31被引量：28H指数：3
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200 mm超厚层IGBT用硅外延片滑移线控制被引量：2
《半导体技术》2022年第2期122-125,151,共5页袁肇耿 刘永超 张未涛 高国智 赵叶军 
重点探究了直径200 mm超厚层硅片滑移线的影响因素以及控制方法。使用平板硅外延炉加工超厚层外延片,并使用颗粒测试仪SP1和光学干涉显微镜表征滑移线。从热应力是滑移线的主要成因出发,通过对衬底和基座背面凹槽的设计以及升温曲线的...
关键词：高压IGBT 外延 滑移线 平板硅外延炉 凹槽深度 
用于Si_(1-x)Ge_x异质结外延材料生长的高真空化学汽相外延炉被引量：1
《半导体技术》2000年第3期54-56,59,共4页谢自力 陈桂章 洛红 过海洲 严军 
电科院预研基金项目
研制出满足 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学汽相外延炉 ,详述了该汽相外延设备的性能、结构组成和设计原理 ,并且给出了利用该设备生长 Si1 - x Gex 异质薄膜的实验结果。
关键词：异质结 高真空化学汽相外管 薄膜 外延生长 硅 
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