外延炉

作品数：31被引量：28H指数：3
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200 mm SiC外延炉及同质外延工艺研究
《电子工业专用设备》2024年第4期11-16,29,共7页谢添乐 李苹 杨宇 巩小亮 巴赛 陈国钦 万胜强 
湖南省科技重大专项十大技术攻关项目“8英寸SiC外延装备关键技术”(2023GK1020)。
目前SiC产业正由150 mm(6英寸)向200 mm(8英寸)转型,为满足行业对大尺寸、高质量SiC同质外延片的迫切需求,采用自主研制的200 mmSiC外延生长设备在国产衬底上成功制备出150 mm、200 mm 4H-SiC同质外延片,并开发了适用于150 mm及200 mm...
关键词：碳化硅 200 mm外延炉 化学气相沉积 同质外延 
ASM2000外延设备加热系统运行状态的研究
《轻工科技》2024年第1期67-69,共3页徐卫东 肖健 宋占阳 何晶 
本文研究一种关于ASM2000设备加热系统运行状态的方法,针对机台只有加热灯管损坏后才有报警的机制,提出一种基于PLC的灯管电阻监控方法,可以监测灯管的运行趋势。利用灯丝电阻的变化,来反应灯管的运行状态,由于电阻受温度影响较大,所以...
关键词：ASM2000外延炉 加热系统 灯管 电阻 运行状态 
ASM E2000硅外延片异常背圈现象研究与分析
《电子与封装》2024年第1期51-55,共5页徐卫东 肖健 何晶 袁夫通 
ASM E2000外延炉在生产硅外延片的过程中,晶圆背面有时会出现异常背圈的现象,包括背圈大小异常、背圈形状异常、背圈偏心等。经研究发现,背圈现象只会在非二氧化硅背封的晶圆上出现。针对异常背圈的产生,进行了滑片、气流、温度、时间...
关键词：硅外延缺陷 背圈 晶圆背圈 ASM E2000外延炉 
基于ASM E2000外延炉温控系统的电压校准研究被引量：1
《电子与封装》2024年第1期73-77,共5页徐卫东 任凯 何晶 肖健 冯萍 
ASM E2000外延炉采用可控硅(SCR)来控制加热灯管的输入电压,采用热电偶(TC)监测并反馈温度的方式进行加热。该机型的加热系统中,各项电压的校准精度决定了系统控制的温度精度。研究的温控系统可分为TC电路板和SCR电路板,对于TC信号处理...
关键词：可控硅 热电偶 温度控制 电压调整 ASM E2000外延炉 
SiC外延炉模块化集成制造技术探索与研究
《电子工业专用设备》2023年第5期11-14,40,共5页谢于柳 何远湘 陈庆广 
SiC外延炉是半导体行业中的一项重要设备,其主要作用是在衬底上生长出高品质、大面积、无杂质的SiC外延薄膜。简要介绍了SiC外延炉模块化集成制造技术,并通过实施模块化集成制造技术方案,解决了设备生产周期长的问题,有效地降低了制造...
关键词：碳化硅外延 外延炉 模块化 集成制造技术 
碳化硅外延反应室及加热系统设计与热场仿真验证被引量：1
《机电工程技术》2022年第12期248-252,共5页唐卓睿 王慧勇 孔倩茵 张南 黄吉裕 
季华实验室基金项目(编号:X210241TC210)。
反应室及加热系统的设计是影响碳化硅(SiC)外延炉性能的关键因素,而通过大量的“试错”实验来验证反应室及加热系统的设计会耗费巨大成本,不适用于实际工业研发。结合SiC外延装备核心反应室及感应加热系统的理论参数计算和模拟仿真,以...
关键词：SiC外延炉 反应室设计 理论计算 热场仿真 
高温外延炉温度控制的设计与应用被引量：1
《中国集成电路》2022年第11期59-62,共4页毛朝斌 唐卓睿 伍三忠 罗骞 
季华实验室自主重大项目(X210241TC210)。
针对碳化硅外延工艺过程中温度控制精度对外延膜厚均匀性影响较大,本文介绍了一种用于感应加热碳化硅高温外延炉及温度控制系统。通过分析碳化硅外延工艺对温度控制的要求,设计了一套温度控制系统。在国产碳化硅外延设备上进行验证,实...
关键词：碳化硅 中频感应加热 温度控制 PID 
高温外延炉气体压力控制系统的实现被引量：2
《电子工业专用设备》2022年第5期1-4,31,共5页毛朝斌 高桑田 盛飞龙 仇礼钦 王鑫 
季华实验室自主重大项目(X210241TC210)。
针对碳化硅外延工艺过程中压力控制范围大、控制精度高的要求,以及受到温度、气流变化大的影响,介绍了一种用于碳化硅高温外延工艺的高温外延炉腔内压力控制系统。通过分析碳化硅外延炉压力控制系统,提出了模糊自适应PID控制算法。在国...
关键词：碳化硅 高速外延 压力控制 比例积分微分 
200 mm超厚层IGBT用硅外延片滑移线控制被引量：2
《半导体技术》2022年第2期122-125,151,共5页袁肇耿 刘永超 张未涛 高国智 赵叶军 
重点探究了直径200 mm超厚层硅片滑移线的影响因素以及控制方法。使用平板硅外延炉加工超厚层外延片,并使用颗粒测试仪SP1和光学干涉显微镜表征滑移线。从热应力是滑移线的主要成因出发,通过对衬底和基座背面凹槽的设计以及升温曲线的...
关键词：高压IGBT 外延 滑移线 平板硅外延炉 凹槽深度 
高浓度硅外延纵向电阻率分布研究被引量：1
《电子与封装》2021年第9期73-76,共4页尤晓杰 王银海 葛华 韩旭 
研究了桶式N型外延中发现的波浪形貌纵向电阻率分布现象,分析和验证了可能的影响因素(温度、生长速率、转速、挂件、掺杂浓度),得到如下结论,波浪形貌的纵向电阻率分布是在高掺杂浓度时因桶式基座面气流干扰产生的现象,且该现象通过基...
关键词：桶式外延炉 基座 波浪形貌 纵向电阻率分布 掺杂浓度 
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