微米工艺

作品数：228被引量：66H指数：3
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深亚微米工艺下单粒子瞬态引起的串扰效应
《微电子学与计算机》2015年第2期60-64,共5页蒋见花 卢奕岑 周玉梅 
国家科技重大专项(2009ZX02036-003)
随着集成电路工艺的发展,供电电压降低,线条变细,使得集成电路受到普通串扰和粒子辐射的影响更严重.由此对130~40nm工艺节点普通串扰和单粒子引起的串扰效应进行了对比分析.单粒子引起的串扰比普通串扰更加严重,而且随着工艺进步,单粒...
关键词：串扰 噪声 单粒子 
深亚微米工艺下片上存储结构的体系结构级功耗模型
《计算机研究与发展》2012年第S1期104-110,共7页任静 唐遇星 徐炜遐 
"核高基"国家科技重大专项基金项目(2009zx01028-002-002);高等学校博士学科点基金项目(20094307120007)
半导体工艺的持续发展和芯片集成度的显著提高,导致芯片发热量的增大与可靠性的下降,限制了性能的进一步提升,功耗已经成为微处理器设计领域的一个关键问题.片上存储结构作为微处理器的重要组成部分,在微处理器总功耗中占据了很大的比重...
关键词：微处理器 存储 功耗 体系结构 深亚微米 
深亚微米工艺EEPROM单元加固设计及辐照性能被引量：2
《东南大学学报（自然科学版）》2011年第3期518-521,共4页周昕杰 李蕾蕾 徐睿 于宗光 
国家科技重大专项资助项目(2008ZX01XXX)
当普通EEPROM单元在太空中应用时,会受到辐照效应的影响,导致单元可靠性降低,寿命缩短,为此,基于0.18μm工艺,设计出一种新型抗辐照EEPROM单元.新单元采用环形栅和场区隔离管加固结构.加固后,单元面积为9.56μm2,抗总剂量效应能力大于1 ...
关键词：总剂量效应 EEPROM 抗辐照加固 
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