量子线

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半导体与微电子技术
《电子科技文摘》2003年第5期23-24,共2页
0309468碳纳米管阵列密度对其场发射性能的影响[刊]/朱亚波//真空科学与技术学报.—2002,22(增刊).—26～29(L) 0309469纳米结构的制备及其应用[刊]/卢刚//微电子学.—2002.32(6).—416～418(D)
关键词：场发射性能 真空科学 亚波 电子束光刻 教授专家 单电子晶体管 装置技术 量子线 明刀 量子点 
材料制备工艺
《电子科技文摘》2003年第4期24-25,共2页
Y2002-63306-276 0307221生长速率对金属有机分子束外延生长 InGaAs/InP(001)晶面横向组分调制的影响=Effects of growthrate on lateral compositional modulation of InGaAs/InP(001)grown by metalorganic m01ecular beam epiraxy[会...
关键词：材料制备工艺 分子束外延生长 汽相外延生长 compositional 可见光透射率 量子点 量子线 异质外延 晶格匹配 激光器结构 
材料制备工艺
《电子科技文摘》2002年第11期26-26,共1页
关键词：材料制备工艺 固体电子学 器件特性 栅长 氧化层 原子级 发光学报 PHEMT 量子线 湿法刻蚀 
其它计算机理论与技术
《电子科技文摘》2000年第12期113-116,共4页
Y2000-62079-51 0020975量子点和线=Quantum dots and wires[会,英]//1999IEEE Conference on Lasers and Electro-Optics.—51～55(F)本部分收录7篇论文摘要。研究了:单一半导体量子点的光学光谱学,ZnSe 中自集中量子点的光谱学研究,...
关键词：神经网络 理论与技术 半导体量子点 量子线 计算机 等离子光谱 光学光谱学 量子受限 事件研究 四波混合 
晶体管、MOS 器件
《电子科技文摘》2000年第10期23-24,共2页
Y2000-62067-442 0016169用于低功率、高性能处理机核的砷化镓技术=Galliumarsenide technology for low-power high performanceprocessor cores[会,英]/Lachowicz,S.W.& Eshraghi-an,K.//1998 IEEE International Confefence on Phto-...
关键词：沟道晶体管 量子点接触 量子线 电子现象 研究与进展 砷化镓 情报通信 器件 混乱度 高性能 
半导体激光器、集成光学激光器
《电子科技文摘》2000年第6期19-19,共1页
Y2000-62067-109 0009226InGaN-AlGaN 量子线及量子点激光器中激子跃迁形成的阈电流密度减少=Reduction of threshold currentdensity in InGaN-AlGaN quantum wire and quantum dotlasers due to excitonic transitions[会,英]/Huang,W...
关键词：半导体激光器 集成光学激光器 量子点激光器 量子线 激子跃迁 阈电流密度 激射 多量子阱脊形波导 量子阱微腔激光器 形成 
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