埋层

作品数：118被引量：155H指数：5
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用于铁电BaTiO_3薄膜的Ta_2O_5隔离埋层(英文)
《微纳电子技术》2013年第11期701-704,709,共5页张安邦 祁小四 邓朝勇 
Science Research Plan of Guizhou Province of China(2012-3005,2010-4005,2009-15,2010-2134,2011-2016);Fundamental Research Fund for the Guiyang City(2012101-2-4);Graduates' Innovation Fund of Guizhou University(2013021)
BaTiO3薄膜的铁电性通常会受到界面效应的影响而衰减。提出了使用Ta2O5作为隔离层能够有效抑制界面效应。利用脉冲激光沉积技术,在(100)晶向的SrTiO3衬底上成功制备了BaTiO3/Ta2O5/SrRuO3三层复合薄膜结构。样品的XRD结果表明所得到的...
关键词：铁电陶瓷 电介质 多层薄膜 铁电性 界面效应 
埋层低掺杂漏SOI高压器件的击穿电压被引量：1
《微纳电子技术》2011年第9期553-557,共5页李琦 王卫东 张杨 赵秋明 
广西自然科学基金资助项目(2010GXNSFB013054);广西千亿元产业重大科技攻关工程项目(桂科攻11107001-20)
提出一种具有埋层低掺杂漏(BLD)SOI高压器件新结构。其机理是埋层附加电场调制耐压层电场,使漂移区电荷共享效应增强,降低沟道边缘电场,在漂移区中部产生新的电场峰。埋层电中性作用增加漂移区优化掺杂浓度,导通电阻降低;低掺杂漏区在...
关键词：埋层 低掺杂漏 击穿电压 调制 导通电阻 掺杂浓度 
Si外延过程中图形漂移的研究被引量：3
《微纳电子技术》2009年第11期691-694,共4页赵丽霞 张鹤鸣 
给出了图形漂移的定义,综合介绍了埋层外延中图形漂移的监测方法,其中包括常规的磨角染色法和无损伤测量垂直和平行于参考面两个方向上图形线宽的变化比例法。结合不同面上的原子密度的不同,分析各晶向上生长速率的差异,解释了不同晶向...
关键词：图形漂移 外延 晶向 生长速率 埋层 淀积 
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