钝化处理

作品数：272被引量：644H指数：10
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相关领域：金属学及工艺化学工程更多>>
相关作者：刘锋赵颖张晓丹魏军胜王磊更多>>
相关机构：中国科学院中国石油化工股份有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司更多>>
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钝化处理对Al_2O_3/InP MOS电容界面特性的影响被引量：1
《半导体技术》2019年第6期438-443,共6页李海鸥 李玺 李跃 刘英博 孙堂友 李琦 李陈成 陈永和 
国家自然科学基金资助项目(61764001;61474031;61874036;61805053);广西自然科学基金重点基金资助项目(2016GXNSFDA380021);广西教育厅科研项目(2018KY0193);广西创新研究团队项目(2018JJF170001);广西精密导航技术与应用重点实验室资助项目(DH201801;DH201808;DH201702;DH201701);桂林电子科技大学研究生科研创新项目(2018YJCXB15;2018YJCX25)
制备了Al/Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容,分别采用氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺处理InP表面。研究了在150、200和300 K温度下样品的界面特性和漏电特性。实验结果表明,硫钝化工艺能够有效地降低快界面态,在150 K下测试得到...
关键词：氮等离子体钝化 硫钝化 界面态密度 边界陷阱密度 隧穿电流 
GaAs经硫和硒钝化处理后的光致发光被引量：2
《半导体技术》1995年第1期44-46,共3页邢东 
研究了用Ｎａ＿２Ｓ·９Ｈ＿２Ｏ，（ＮＨ＿４）＿２Ｓ＿ｘ和Ｓｅ钝化的ＧａＡｓ的光致发光。这种钝化是经湿法化学处理来进行的。硫和硒处理后，我们观察到光致发光强左有明显的增强。同时我们也比较了三种钝化方法的效果。经分析认为...
关键词：硫 硒 钝化处理 GAAS 光致发光 表面处理 
LPCVD-Si_3N_4在铝下钝化工艺中的应用
《半导体技术》1987年第3期58-61,共4页张崇玖 王亦钢 王明珍 
由于Si3N4薄膜具有结构致密,介电强度高,介电常数大、化学性能稳定等优点,因此Si3N4薄膜在大规模集成电路制造工艺中具有很重要的用途,它在局部氧化工艺中作为场氧化掩膜,在高温下能掩蔽B、Al、As、O等杂质扩散,能有效地防止N+、K+等离...
关键词：LPCVD-Si3N4 钝化工艺 钝化处理 刻蚀工艺 SI 
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