接触电极

作品数：48被引量：85H指数：5
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快速热退火对Au/AuBe/Au与GaP结构的影响被引量：2
《半导体技术》2017年第4期293-299,共7页肖和平 王宇 郭冠军 马祥柱 张双翔 
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备了GaAs基AlGaInP发光二极管(LED),其中在p-GaP上制作Au/AuBe/Au接触电极,经不同温度快速热退火后,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)和俄歇电子能谱仪(AES)对样品的欧姆接触的界面...
关键词：热退火处理 AES纵深分析 元素扩散 物相结构 接触电极 
InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ)被引量：1
《半导体技术》2009年第9期821-827,共7页齐志华 李献杰 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314901)
关键词：GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管 技术发展现状 欧姆接触电极 INGAAS 化学腐蚀工艺 Pt/Ti 制作工艺 
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