金属硅化物

作品数：105被引量：250H指数：8
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130nm CMOS工艺中应力对MOS器件饱和电流的影响
《半导体技术》2019年第12期938-944,955,共8页陈晓亮 陈天 钱忠健 孙伟锋 
在深亚微米CMOS集成电路制造工艺中,应力对MOS器件性能的影响已经不可忽略。应力可以改变半导体载流子的迁移率,因此影响MOS器件的饱和电流。通过对不同版图布局的MOS器件饱和电流进行分析,研究了130 nm CMOS工艺中浅槽隔离(STI)和金属...
关键词：浅槽隔离(STI) 金属硅化物 饱和电流 应力 版图设计 
超薄Ni_(0.86)Pt_(0.14)金属硅化物薄膜特性被引量：2
《半导体技术》2014年第5期370-376,共7页张青竹 高建峰 许静 赵利川 吴次南 闫江 
国家科技重大专项资助项目(2009ZX02035-006)
通过研究超薄Ni-0.86 Pt-0.14㈦。金属硅化物薄膜的特性，提出采用310℃／60S与480℃／10s两步快速热退火（RTA）的工艺方案，形成的Ni（Pt）硅化物薄膜电阻率最小，均匀性最好，且在600oC依然保持形态稳定。应用此退火条件，Ni-0.86 Pt...
关键词：硅化物 尖峰 界面 热稳定 快速热退火(RTA) 
铂－镍硅化物／硅接触肖特基势垒的形成方法被引量：3
《半导体技术》1995年第3期18-21,共4页杨碧梧 
本工作研究了低温固相反应形成铂－镍硅化物／硅接触肖特基势垒的方法。介绍了用磁控溅射方法淀积金属薄膜和溅射工艺过程应注意的问题及其对肖特基势垒特性的影响。讨论了Ｈ＿２气氛中退火以形成优良肖特基势垒接触的方法与实验结果。
关键词：金属硅化物 硅接触 磁控溅射 肖特基势垒 
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