多孔硅

作品数：1081被引量：1221H指数：12
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：胡明贾振红李清山杨德仁邬建敏更多>>
相关机构：浙江大学中国科学院天津大学新疆大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 学科=电子电信x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
光电通信系统中的多孔硅光纤数据传输技术分析
《电子技术（上海）》2024年第3期436-437,共2页毛庆国 
阐述多孔硅光纤的原理和结构特点,分析高速数据传输的需求和挑战,介绍解决高速数据传输挑战的现有方法和技术。实验结果表明,基于多孔硅光纤的高速数据传输具有优越的性能。
关键词：光电通信 多孔硅光纤 高速数据传输 
MACE法制备多孔硅的形貌及光致发光性能被引量：1
《微纳电子技术》2021年第5期392-396,共5页张艺 端木庆铎 
采用金属辅助化学腐蚀(MACE)法,通过控制不同的腐蚀时间制备出多孔硅。利用扫描电子显微镜(SEM)观察多孔硅形貌,分析结果表明,随着腐蚀时间的增加,硅表面腐蚀孔洞变大,孔洞深度增加,同时孔洞深度的增加速率随之变缓。采用325 nm He-Cd...
关键词：金属辅助化学腐蚀(MACE) 多孔硅 形貌 光致发光 发光强度 
多孔硅腐蚀制造空腔薄膜方法
《中国集成电路》2019年第4期70-75,共6页季锋 刘琛 孙伟 闻永祥 邹光祎 
本文介绍了在具有N-网格结构的单晶硅上通过电化学腐蚀的方法,将硅片部分区域转化成多孔硅,通过常规单晶硅外延工艺,使多孔硅所在区域形成外延单晶硅下的空腔结构。该制造方法除电化学腐蚀工艺外,完全与CMOS工艺方法兼容,具有成本低,良...
关键词：多孔硅电化学腐蚀 N-网格层 TMAH 空腔薄膜 
双槽电化学腐蚀法制备多孔硅的研究
《科学与信息化》2018年第24期197-197,共1页牛旭 杜西亮 
本文通过双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,主要研究腐蚀电流密度与腐蚀时间两个制备因素对制备的多孔硅的微观结构的影响。本文在p+<100>硅片上通过30mA/cm2的腐蚀电流的条件完成腐蚀时间为10min、20min、30min、40min、50min的多孔硅的制备...
关键词：多孔硅 双槽电化学腐蚀法 孔隙率 
石墨烯对多孔硅光学性能的影响被引量：1
《微纳电子技术》2017年第9期585-590,共6页钱栋梁 葛道晗 程广贵 
国家自然科学基金资助项目(11404146)
采用电化学腐蚀法,通过改变腐蚀电流密度制备出不同孔径的多孔硅衬底。通过荧光分光光度计对多孔硅进行光致发光性能测试,测试结果发现腐蚀电流密度会对其光致发光性能产生影响,当腐蚀电流密度为30 mA/cm^2时,制备出的多孔硅光致发光性...
关键词：石墨烯 多孔硅 电流密度 复合材料 光致发光 
多孔硅复合材料的制备与应用研究进展
《微纳电子技术》2016年第12期787-796,共10页杨家乐 沈鸿烈 邢正伟 
国家自然科学基金资助项目(61176062);江苏省前瞻性联合创新项目(BY2013003-08);研究生创新基地(实验室)开放基金资助项目(KFJJ20160605);江苏省光伏科学与技术协同创新中心;江苏高校优势学科建设工程项目
多孔硅具有独特的结构和优异的物理、化学性能,基于多孔硅的复合材料性能更加优越,其应用前景值得期待。综述了多孔硅的起源及其发展过程。介绍了多孔硅复合材料的多种制备方法,其中重点介绍了电镀法和无电沉积法,讨论了沉积物形貌的影...
关键词：多孔硅复合材料 沉积方法 电镀法 无电沉积法 沉积物形貌 
多孔硅负载银纳米颗粒提高硅基MSM光电探测器性能的研究被引量：1
《电子元件与材料》2016年第11期16-20,共5页王继伟 陈海燕 李东栋 杨康 任伟 陈小源 
国家自然科学基金资助项目(No.11174308;No.51201108);中科院知识创新工程重要方向项目(No.KGCX2-EW-315)
利用金属辅助刻蚀的方法在单晶硅片表面制备了多孔硅,结果表明多孔硅表面纳米结构的陷光作用在宽光谱范围内大幅提高了硅片的光吸收率。将银纳米颗粒负载到多孔硅表面,研究了其对硅基金属-半导体-金属型光电探测器(MSM-PDs)性能的影响...
关键词：多孔硅 银纳米颗粒 光吸收率 局域表面等离子体共振 光电探测器 金属辅助刻蚀 
HCl浓度对多孔硅微结构及Si-H键合的影响被引量：1
《材料研究学报》2016年第9期717-720,共4页安红章 吴开均 肖婷 展长勇 任丁 
国家自然科学基金青年科学基金11005076;11305029;中国电子科技集团公司第三十研究所协作项目~~
采用电化学湿法刻蚀制备了P型多孔硅,通过改变HCl溶液浓度来调整刻蚀液中的氢离子浓度。制备出的多孔硅孔径相同,孔深随着氢离子浓度的提高呈线性增大直至恒定。基于电流突发模型阐述了结构参数的变化:孔径的形成开始于刻蚀的初始阶段,...
关键词：无机非金属材料 HCL 多孔硅 微结构 SI-H 电流突发模型 
基于法布里-珀罗效应的纳米有序多孔硅光学传感器研究被引量：1
《天津理工大学学报》2016年第4期24-28,共5页马文锋 胡明 袁琳 李昌青 魏玉龙 
国家自然科学基金(61271070;61274074)
利用电化学方法在N型0.01Ω·cm单晶抛光硅片上制备纳米有序多孔硅,研究电流密度对其形貌及光学性能的影响;并通过对硅基体进行预处理达到消除多孔硅表面小孔硅的目的.结果表明,随着电流密度的增大,多孔硅的孔径、孔隙率以及光学厚度均...
关键词：多孔硅 电化学腐蚀 法布里-珀罗效应 有效光学厚度 光学性能 
锂离子电池中硅-氧化钴电极材料的研究
《电子元件与材料》2016年第5期11-14,共4页汪东霞 吴孟强 文浪 胡一明 王振宇 刘文龙 
四川省科技厅资助项目资助(No.2015GZ0132);四川省科技厅重大支撑计划资助(No.2015GZ0130)
主要介绍了微米硅、多孔微米硅以及经修饰后的硅-氧化钴电极材料性能。以质量分数12%的氧化钴修饰多孔硅,首次与第二次放电电容量分别为3 590m Ah·g^(–1)和2 679m Ah·g^(–1),其放电电容量衰退率为25.4%。与没有修饰过的微米硅(2 281...
关键词：锂离子电池 多孔硅 硅-氧化钴 氧化钴披覆 电极材料 固体电解质 
全选清除导出
共53页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部