绝缘衬底

作品数：47被引量：63H指数：4
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相关机构：中国科学院株式会社半导体能源研究所三星电子株式会社中国科学院微电子研究所更多>>
相关期刊：《电力电子》《电子元器件应用》《化工学报》《国外传感技术》更多>>
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基于SOI射频开关和电容阵列的天线调谐器
《固体电子学研究与进展》2022年第2期130-134,共5页单春燕 卢新民 蒋东铭 钱峰 周猛 
基于0.18μm SOI CMOS工艺研制了一款高集成度的天线调谐器芯片,该芯片集成了射频开关、电容阵列和数模混合控制电路,面积仅为1433μm×760μm。芯片核心射频电路由5 bit电容阵列和SP3T射频开关并联组成,其中电容阵列采用了基于射频开...
关键词：绝缘衬底上硅 射频开关 天线调谐器 电容阵列 
传导电磁干扰对绝缘衬底上硅工艺器件的影响研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第2期149-153,共5页李向前 王蒙军 吴建飞 李尔平 李彬鸿 郝宁 高见头 
国家自然科学基金资助项目(61671200);河北省高等学校高层次人才科学研究项目(GCC2014011);河北省自然科学基金重点资助项目(F2017202283)。
为了研究绝缘衬底上硅(SOI)工艺器件在传导干扰下的电磁抗扰度特性,分别选用了SOI CMOS工艺和体硅CMOS工艺的CAN控制器,基于直接功率注入法对芯片进行了抗扰度测试,结果表明SOI芯片与体硅芯片的抗扰度阈值曲线的变化趋势基本相同,但在...
关键词：电磁兼容 电磁抗扰度 绝缘衬底上硅 CAN控制器 
基于CMOS SOI工艺的射频开关设计被引量：7
《固体电子学研究与进展》2014年第2期142-145,162,共5页蒋东铭 陈新宇 许正荣 张有涛 
采用0.18μm CMOS SOI工艺技术研制加工的单刀双掷射频开关,集成了开关电路、驱动器和静电保护电路。在DC^6GHz频带内,测得插入损耗0.7dB@2GHz、1dB@4GHz、1.5dB@6GHz,隔离度37dB@2GHz、31dB@4GHz、27dB@6GHz,在5GHz以内端口输入输出驻...
关键词：互补金属氧化物半导体 绝缘衬底上硅 射频开关 驱动器 集成 
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