激光器材料

作品数：20被引量：22H指数：3
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相关作者：尤明慧王占国金鹏张秀兰赵昶更多>>
相关机构：中国科学院长春理工大学北京邮电大学北京师范大学更多>>
相关期刊：《微纳电子技术》《材料导报》《功能材料与器件学报》《长春理工大学学报（自然科学版）》更多>>
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1.3μm AlGaInAs/InP量子阱激光器材料研究被引量：2
《微纳电子技术》2013年第4期220-223,共4页陈宏泰 车相辉 张宇 赵润 杨红伟 余般梅 王晶 位永平 林琳 
设计制作了适用于无致冷工作的通讯用1.3μm量子阱激光器材料,并制作成单模芯片进行特性分析研究。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺生长了AlGaInAs/InP应变补偿量子阱材料,采用此外延材料制作的脊宽为2.5μm脊形波导结构FP单模激...
关键词：1 3 μm FP激光器材料 无致冷 ALGAINAS INP MOCVD 
高效率976nm激光器材料被引量：5
《微纳电子技术》2010年第1期29-32,共4页田秀伟 陈宏泰 车相辉 林琳 王晶 张世祖 徐会武 刘会民 王晓燕 杨红伟 安振峰 
使用自洽二维数字模拟软件优化半导体激光器的外延结构,对GaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱结构进行了模拟,研究了包层和波导层的Al组分对工作电压的影响。根据模拟结果,采用金属有机化学淀积(MOCVD)技术,外延生长了单量子阱976nm...
关键词：金属有机化学淀积 压应变 转换效率 自洽二维数字模拟 工作电压 AL组分 
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