激光器材料

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应用晶片键合技术制作激光器
《半导体技术》2004年第11期45-48,共4页牛健 陈国鹰 花吉珍 赵卫青 
针对于普通外延生长GaAs衬底激光器材料中存在的位错严重、热胀系数不匹配等问题,总结了国外键合工艺,将其应用于发光波长为850nm的AlGaAs脊波导量子阱激光器的制造,并提出了键合过程中各项关键步骤应注意的问题和解决方法。
关键词:晶片键合 激光器材料 GAAS衬底 脊波导 键合工艺 量子阱激光器 发光波长 技术 问题 国外 
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