汞镉碲

作品数：44被引量：67H指数：4
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用于高分辨率成像的1500元中波红外和长波红外HgCdTe线列阵(下)
《红外》1999年第11期18-21,共4页J.P.Chamonal 顾聚兴 
2.34 A/W的响应率值对应的探测器量子效率为65％。测量的探测率非常接近背景限性能值,所观察到的退化小于10％,而且基本上是由读出电路的剩余噪声引起的。下表给出了在线列阵上测得的所有性能值。
关键词：汞镉碲 长波 中波 红外线列阵 分辨率 
用于高分辨率成像的1500元中波红外和长波红外HgCdTe线列阵(上)
《红外》1999年第10期1-6,共6页J.P.Chamonal 顾聚兴 
高分辨率红外成像系统需要具有数千个探测器和高性能的甚长扫描列阵。本文介绍这方面的最新技术发展以及LETI/LIR(红外实验室)的1500元HgCdTe线列阵(工作波段为3μm-5μm和8μm-10μm)所达到的光电性能。这些甚长列阵(长度≈50mm)具有...
关键词：分辨率 红外成像系统 汞镉碲 红外列阵 
工作在中红外波段的集成双色HgCdTe探测器性能和分子束外延生长
《红外》1999年第6期8-15,共8页R.D.RAJAVEL 贡树行 
第一次报导了HgCdTe双色探测器的性能和它的分子束外延生长材料,这种器件能同时探测4.1μm和4.5μm的辐射。在原位进行掺杂的器件具有n-p-n结构,是由分子束外延技术在(211)BCdZnTe衬底上生长出来的。在X射线摆动曲线极大值的半高处、具...
关键词：红外探测器 分子束外延 汞镉碲 双色探测器 
长的中波红外HgCdTe平接线列阵(下)
《红外》1999年第5期26-29,共4页Jean Paul Chamonal 高国龙 
5.1500元中波红外IRCMOS平接列阵的性能在这一节中,我们给出从一个工作于3μm～5μm波段的1500元平接线列上获得的表征结果。
关键词：中波 红外器件 汞镉碲 平接线列阵 
用分子束外延生长技术来改进HgCdTe材料的特性和重复性(下)
《红外》1999年第5期30-37,共8页D.D.EDWALL 贡树行 
3.5.2,载流子的迁移率图7表示我们用分子束外延技术生长的外延层材料在77K时的电子迁移率与组分的关系,组分对应的波段范围从中波红外一直到超长波红外。长波红外(X=0.23)材料的典型迁移率是大于1×10~5cm^2/V.S。图中的实心线是为了帮...
关键词：载流子 迁移率 汞镉碲 分子束外延生长 
用分子束外延生长技术来改进HgCdTe材料的特性和重复性(上)
《红外》1999年第4期17-29,共13页D.D.EDWALL 贡树行 
本文介绍我们在利用分子束外延技术生长HgCdTe材料方面对改进材料质量、重复性和柔软性所取得的进展。根据一定的判断标准,对超过100片的n型外延片的载流子浓度和迁移率、晶体缺陷密度和位错密度给出了统计数据和成品率。另外,还给出了...
关键词：分子束外延 汞镉碲 红外焦平面阵 材料质量 
长的中波红外HgCdTe平接线列阵(上)
《红外》1999年第4期5-9,共5页Jean Paul Chamonal 高国龙 
高分辨率红外成像系统需要非常长的扫描线列,这些扫描列阵不但具有数千个探测器,而且具有高的性能。本文介绍法国LETI/LIR在长平接列阵方面所取得的最新技术进展,并给出了在一个间距为30μm、截止波长为5.5μm的1500元HgCdTe探测器线列...
关键词：红外 线列 平接 焦平面列阵 汞镉碲 
具有时间延迟积分和元件筛选功能的长线性列阵器件
《红外》1999年第2期27-33,共7页C.P.Arthurs 贡树行 
英国GEC-Marconi红外公司根据横向聚集的CdHgTe光电探测器列阵已经研制开发了一种传感器技术,列阵器件是安装在普通设计的CMOS多路传输集成电路上的。由于可以利用亚微米硅工艺技术,使得许多功能可以高度集成在探测器上,从而大大简化整...
关键词：红外探测器 TDI元件 长线性列阵 汞镉碲 
在分子束外延P型HgCdTe薄膜上制造长波红外平面光电二极管
《红外》1998年第10期17-23,共7页V.N.Ovsyuk 顾聚兴 
本文介绍分子束外延生长HgCdTe外延层以及利用平面工艺技术制造敏感波长为8μm-10μm的小型p-n结的结果。在分子束外延过程中,生长动态、组分和表面粗糙度是利用内在的高能电子衍射计和椭圆对称计在原位控制的。 小面积光敏二极管(50×7...
关键词：LWIR 长波 红外 光电二极管 汞镉碲 
制造HgCdTe焦平面列阵的灵活分子束外延技术
《红外》1998年第3期1-8,共8页J.D.Benson 顾聚兴 
为了达到国防部提出的获取低成本高性能红外焦平面列阵的目标,人们需要一种制造技术,这种技术根据器件的配置和截止波长具有内在的灵活性,而且根据所需的批量可容易地进行调整。这里采用的方法是为了使分子束外延技术完全发展到这样一...
关键词：汞镉碲 红外列阵 焦平面列阵 分子束外延 
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