共模抑制

作品数：345被引量：681H指数：12
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基于SiGe BiCMOS工艺的90～100 GHz单刀双掷开关
《微电子学》2019年第1期88-92,共5页施雨 徐余龙 庞东伟 陈涛 桑磊 李庄 曹锐 
国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项资助项目(2016YFE0100500)
采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种频带为90～100GHz的差分单刀双掷开关。首先对比分析了并联MOS管与串联MOS管,根据隔离度与损耗性能选择了并联结构。其次采用差分螺旋电感进行匹配,将双端口电感网络等效为变压器模型,显著抑制...
关键词：SIGE BICMOS 共模抑制 单刀双掷开关 
一种高增益三级运算放大器被引量：3
《微电子学》2018年第5期579-584,共6页王鹏 汪涛 丁坤 易茂祥 
国家自然科学基金资助项目(61371025);合肥工业大学博士专项基金资助项目(JZ2015HGBZ0462);安徽省质量工程项目(2017jyxm0037)
提出了一种高增益三级运算放大器。采用五管全差分、套筒式共源共栅、典型共源级结构作为运算放大器的放大级,采用共模抑制电路、频率补偿电路、高摆幅偏置电路,提高了运算放大器的性能。结果表明,在3V电源电压、4pF负载电容的条件下,...
关键词：运算放大器 全差分 套筒式共源共栅 共模抑制 
一种基于g_m-I_D方法的神经信号放大电路被引量：1
《微电子学》2018年第2期237-240,245,共5页袁丰 张长春 徐跃 郭宇锋 
国家自然科学基金资助项目(61604082;61674036);国家重点实验室开放课题(K201725);南京邮电大学校级科研基金资助项目(NY214124;NY215112)
为探测幅值极小、分布频域很低的神经信号,基于g_m-I_D方法设计了一种低电压、低功耗跨导运算放大器。该运算放大器采用了带增益自举模块的AB类低电压伪差分放大结构。在此基础上,设计了电容反馈神经信号放大电路。仿真结果表明,神经信...
关键词：共模抑制比 电源抑制比 跨导运算放大器 神经信号放大电路 gm-ID方法 
一种高CMRR高增益运算放大器的设计
《微电子学》2015年第4期457-460,共4页何泽炜 郭俊 张国俊 
设计了一种基于TSMC 0.5μm工艺的高共模抑制比、高增益运算放大器。针对该运放的结构,提出了相应的频率补偿方法,使得电路具有较好的稳定性。该运放可用于生物电势信号检测等对共模抑制比要求较高的场合。仿真结果表明,电路的共模抑制...
关键词：高共模抑制比 高增益 运算放大器 频率补偿 
运算放大器共模抑制比的仿真与测试被引量：22
《微电子学》2012年第2期154-158,共5页黄晓宗 黄文刚 刘伦才 晏开华 何峥嵘 王成鹤 王国强 
从运算放大器共模抑制比(CMRR)定义开始,对多种仿真和测试方法进行分析和比较,深入论述辅助元器件(如电阻和辅助放大器)对待测器件(DUT)仿真和测试结果的影响,分别总结出适合于仿真和测试的方法,为运算放大器设计过程中的仿真验证和封...
关键词：运算放大器 共模抑制比 仿真 测试 
一种高性能共模反馈CMOS运算放大器被引量：3
《微电子学》2007年第3期407-410,共4页张奉江 吴贵能 张红 张正璠 
介绍了一种具有高增益,高电源抑制比(CMRR)和大带宽的两级共源共栅运算放大器。此电路在两级共源共栅运算放大器的基础上增加共模反馈电路,以提高共模抑制比和增加电路的稳定性。电路采用0.35μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿...
关键词：共源共栅运算放大器 共模反馈电路 共模抑制比 
一种高共模抑制比恒定跨导运算放大器被引量：4
《微电子学》2007年第2期242-245,共4页朱莹 李丽 杨盛光 何书专 张川 
国家自然科学基金资助项目(90307011);江苏省高技术研究资助项目(BG2005030)
介绍了一种基于电平位移技术实现恒定跨导的CMOS Rail-to-Rail运算放大器。该电路克服了一般运算放大器输入共模范围小的特点,输入级引入了电平位移电路,使运放在各种输入共模电压下的跨导几乎恒定。在此基础上,设计了一种具有高共模抑...
关键词：恒定跨导 运算放大器 电平位移 共模抑制比 电源抑制比 
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