关断损耗

作品数：45被引量：70H指数：5
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缓变场终止型IGBT特性的仿真被引量：2
《半导体技术》2015年第1期29-33,43,共6页匡勇 贾云鹏 金锐 吴郁 屈静 苏洪源 李蕊 
国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点学科专项科研基金资助项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
为改善场终止型绝缘栅双极型晶体管（FS-IGBT）电场终止能力的可靠性,对一种缓变场终止型绝缘栅双极型晶体管（GFS-IGBT）的特性进行了仿真研究。与传统FS-IGBT的突变场终止层不同,GFS-IGBT所具有的场终止层是一个厚度为20-30μm,峰值...
关键词：缓变掺杂 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 通态压降 关断损耗 场终止结构 
一种具有新耐压层结构的IGBT被引量：2
《半导体技术》2003年第7期64-68,共5页高琰 亢宝位 程序 
国家自然科学基金资助项目(69836010)
介绍了一种具有新型耐压层结构的IGBT——低功耗IGBT。新结构用三重扩散的方法在n- 单晶片上引入了n+ 缓冲层。保留了NPT-IGBT中薄而轻掺杂的背p+层和高载流子寿命的本质优点,同时又具有PT-IGBT中n-/n+ 双层复合的薄耐压层 (即薄基区) ...
关键词：IGBT 耐压层结构 关断损耗 仿真 制造工艺 
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