关断损耗

作品数：45被引量：72H指数：5
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相关机构：电子科技大学电子科技大学广东电子信息工程研究院重庆邮电大学盐城工学院更多>>
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高压IGBT宽安全工作区设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第6期451-454,共4页高明超 金锐 王耀华 刘江 李立 李翠 吴军民 
国家电网有限公司总部科技项目(52060018009M)。
基于现有工艺平台开发了一款具有宽安全工作区的高压IGBT芯片。该芯片元胞采用场截止结构、载流子增强技术结合背面激光退火工艺降低器件饱和电压,通过优化载流子存储层的掺杂分布,结合背面透明集电极的增益优化,降低器件雪崩风险,提高...
关键词：绝缘栅双极晶体管 饱和电压 关断损耗 反偏安全工作区 短路安全工作区 
3300 V FS型IGBT器件研制被引量：1
《固体电子学研究与进展》2017年第4期266-270,298,共6页朱涛 刘江 高明超 冷国庆 赵哿 王耀华 金锐 温家良 潘艳 
国家电网公司科技项目(5455GB160001)
基于现有仿真及工艺平台,设计一款3 300V/50A场截止型绝缘栅双极晶体管器件(FS-IGBT),元胞采用场截止型平面栅结构,元胞注入采用自对准工艺,背面P型集电极采用透明集电极技术,降低导通状态的饱和压降。采用二维数值仿真主要研究了FS结...
关键词：场截止型绝缘栅双极晶体管 击穿电压 饱和压降 关断损耗 
一种具有独特导通机理的新型超结IGBT被引量：5
《固体电子学研究与进展》2011年第6期545-548,600,共5页王永维 陈星弼 
首次指出了超结IGBT这一新型功率半导体器件独特的导通机理并对其作了详细分析。通过TMA-MEDICI仿真验证,超结IGBT耐压能力和正向导通能力都明显优于普通IGBT。并且发现,不同N柱、P柱掺杂浓度下器件的导通模式会在单极输运和双极输运之...
关键词：超结 绝缘栅双极晶体管 电荷非平衡 击穿电压 导通压降 关断损耗 
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