光敏器件

作品数：86被引量：91H指数：5
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注入光敏器件是一种新型的光电探测器被引量：7
《固体电子学研究与进展》1995年第4期356-364,共9页何民才 黄启俊 龙理 陈畅生 
注入光敏器件的理论是建立在公认的ｐｎ结光伏公式基础上的，有着可靠根据。严格的理论分析和实验证明抽取受光结的注入电流是可行的。注入光敏三极管与普通光敏三极管比较中可以看出它们之间有许多不同之处并显示出注入光敏器件的优良...
关键词：光电探测器 注入光敏器件 光敏器件 
开路p－n结对近邻光电二极管特性的影响被引量：4
《固体电子学研究与进展》1994年第2期186-189,共4页石仲斌 
对ｐ－ｎ结邻近有大面积受光开路ｐ－ｎ结的光电特性进行了理论和实验分析。结果表明，这种结构不能改善光敏器件的灵敏度和探测率，而且由于大面积受光开路ｐ－ｎ结的存在，器件的灵敏度和探测率比相同面的单个ｐ－ｎ结小。
关键词：光电二极管 特性 光敏器件 P-N结 
硅光敏三极管光开通现象的研究
《固体电子学研究与进展》1990年第1期58-64,共7页张君和 
本文研究了硅npn型光敏三极管的光开通现象.证实了光开通实质是光触发引起的晶闸管导通现象.查明了其原因是在于底面集电极处形成的非欧姆接触.具体讨论了由于金在底面形成p型层而构成的npnp四层结构的实例.
关键词：硅光敏三极管 光开通 光敏器件 
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