光敏三极管

作品数:109被引量:103H指数:5
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L型硅光敏三极管被引量:2
《半导体光电》2002年第4期257-258,270,共3页谢顺坤 王波 
介绍了L型硅光电三极管的设计、工作原理、实验及结果。制作出的高灵敏度、探测率大的L型硅光敏三极管 ,其每个光敏元的响应率最大值为 1.2× 10 5V/W ,探测率最大值为 4 .5× 10 5cm·Hz1/ 2 /W。
关键词:光敏三极管 L型 灵敏度 响应率 
光敏三极管响应速度与器件结构参数的关系被引量:3
《半导体光电》2000年第1期59-61,65,共4页陈炳若 余波 朱小兵 
对影响光敏三极管光电响应速度的器件结构进行了理论和计算机数值分析。结果表明 ,与基极电阻和电流增益相关的基区宽度是器件优化设计的重点之一。实验结果与分析结果较好一致。选用合适的基区宽度并采取其他措施 ,可使光敏三极管的响...
关键词:光敏三极管 光电响应速度 结构参数 
对“四论注入光敏器件的物理基础”一文的商榷被引量:1
《半导体光电》1999年第6期441-445,共5页石仲斌 
利用受光PN 结伏安特性方程,分别对受光PN 结的光电流输出、注入电流输出和零电流输出三种情况进行了讨论,进一步对注入光敏器件的物理基础进行探讨,并对一些实验问题进行讨论。
关键词:光敏三极管 注入光敏器件 光电二极管 
光敏三极管光电特性被引量:1
《半导体光电》1998年第4期277-281,共5页石仲斌 
给出理想光敏三极管的一种等效电路计算模型,在一维条件下得到理想光敏三极管的电流-电压(I-V)关系式。这些公式比较全面地描述了器件的基本特性,可以用作计算机辅助分析和设计的基本模型。利用所得方程计算光敏三极管在不同工...
关键词:光敏三极管 光电特性 注入光敏器件 光敏二极管 
注入光敏三极管输出特性再研究被引量:1
《半导体光电》1996年第2期162-166,共5页郭缨 何民才 
国家自然科学基金
详细报道了在注入光敏三极管的研究工作中发现的几个较有意义的实验结果,它为研制出使用更为方便、特性更好的间接耦合光电三极管提供了很有价值的参考资料,也有助于机理问题的最终解决。
关键词:光电三极管 间接耦合 内部电流增益 
非外延硅单晶高灵敏度光敏三极管的研制
《半导体光电》1990年第3期273-279,285,共8页张君和 
本文研究用非外延硅单晶制造高灵敏度光敏三极管的方法。首先论述了两个困难:光开通现象和光电特性的非线性现象,然后查明了引起这两种现象的原因,并提出了对策,从而制得了3DU84型高灵敏度光敏三极管;其光电流在100勒克司光照下高达14毫...
关键词:硅单晶 光敏三极管 晶体管 
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