硅片直接键合

作品数：30被引量：64H指数：5
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硅片直接键合杂质分布的模型与模拟被引量：3
《Journal of Semiconductors》2003年第8期887-891,共5页张佩君 黄庆安 
教育部科学与技术研究资助项目 (No .0 0 0 65 )~~
根据键合过程和半导体中杂质扩散的规律建立了硅片直接键合工艺的数学模型 ,得到了键合后硅片中杂质的浓度分布 .并利用MATLAB软件 ,编写了键合工艺模拟程序 ,计算结果与实验进行了比较 .该模型可以为相关器件的研究提供参考 .
关键词：硅片直接键合 本征氧化层 扩散 微机电系统 功率器件 
基于SDB技术的新结构PT型IGBT器件研制被引量：4
《Journal of Semiconductors》2000年第9期877-881,共5页何进 王新 陈星弼 
国家自然科学基金资助项目! ( 697760 4 1 )&&
报道了基于 SDB技术的新结构穿通 ( PT)型 IGBT器件的研制 .运用 SDB技术 ,实现了PT型 IGBT器件的 N+ 缓冲层的优化设计 ,也形成了 IGBT器件的正斜角终端结构 .研制出IGBT器件有较好的电击穿特性和关断特性 .
关键词：IGBT 硅片直接键合 PT型 双极晶体管 
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