硅片直接键合

作品数：30被引量：64H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：王新陈星弼何进童勤义黄庆安更多>>
相关机构：东南大学电子科技大学华中科技大学浙江大学更多>>
相关期刊：《河北工业大学学报》《国外电力电子技术》《电子器件》《微电子学》更多>>
相关基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=电子学报x
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
自封闭低压硅场致发射二极管的研究
《电子学报》1996年第8期115-117,共3页秦明 黄庆安 魏同立 
国家自然科学基金;国防科技预研基金
本文首次利用硅片直接键合（ＳＤＢ）技术实现了具有一定真空度的自封闭硅微二极管．实验测得该４０×４０阵列场发射二极管的开启电压只有５Ｖ左右，发射电流在２５Ｖ时可达１０－４Ａ量级．文中还对键合形成的微真空腔的机理进行了详...
关键词：真空微电子学 自封闭二极管 硅片直接键合 
硅片直接键合机理及快速热键合工艺被引量：8
《电子学报》1991年第2期27-33,共7页童勤义 徐晓莉 沈华 张会珍 
国家自然科学基金
本文的理论与实验结果说明,硅片表面吸附的OH团是室温下硅片相互吸引的主要根源。采用SIMS和红外透射谱定量测量了OH吸附量。开发了表面活化技术。发现键合强度随温度而增大是键合面积增加所致。SiO_2/SiO_2键合之界面中各种物质的扩散...
关键词：硅片 键合 热键合 减薄 工艺 
硅片直接键合中表面活化的研究被引量：3
《电子学报》1990年第3期32-36,共5页童勤义 孙国梁 徐晓莉 詹娟 谢世健 张会珍 
本文提出在直接键合前用等离子体活化硅片表面的方法。经活化后表面硅悬挂键明显增加,从而对羟基进行有效的化学吸附。低压气体放电等离子体主要通过离子轰击对硅表面赋能与活化,其活化效果与气体种类无关。温度通过热能对氧化硅表面有...
关键词：硅片 键合 表面活化 SOI材料 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部