红外透射谱

作品数：16被引量：39H指数：4
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相关作者：高超群景玉鹏吴越颖龚海梅何国荣更多>>
相关机构：中国科学院北京工业大学中国科学院微电子研究所昆明物理研究所更多>>
相关期刊：《红外与激光工程》《功能材料与器件学报》《红外与毫米波学报》《光子学报》更多>>
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真空退火对低频PECVD氮化硅薄膜性能的影响被引量：4
《半导体光电》2012年第1期74-78,共5页柳聪 蒋亚东 黎威志 
国家自然科学基金资助项目(60736005)
研究了真空退火温度对不同流量比工艺参数下PECVD氮化硅薄膜性能的影响,测试了退火后氮化硅薄膜厚度、折射率以及在氢氟酸中的腐蚀速率。结果表明,退火后氮化硅薄膜厚度及折射率变化与薄膜沉积工艺条件有关,而薄膜在氢氟酸中的腐蚀速率...
关键词：真空退火 PECVD 氮化硅 红外透射谱 
Si/Si直接键合界面的FTIR和XPS研究被引量：2
《半导体光电》2004年第5期372-375,共4页陈松岩 谢生 何国荣 
　通过新颖的键合方法实现了Si/Si直接键合。采用傅里叶红外透射谱(FTIR)对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,高温退火样品的界面组分为Si和O,无OH和H网络存在。X射线光电子谱(XPS)测试结果进一步表明,界面主要为单质Si和SiOx混合网络...
关键词：硅 直接键合 红外透射谱 X射线光电子谱 
Hg_(1-X)Cd_xTe液相外延层室温红外透射谱分析
《半导体光电》1994年第3期223-228,共6页刘达清 陶长远 陶 
首次系统、深入地探讨了Ｈｇ（１－Ｘ）ＣｄｘＴｅ液相外延层的界面结构、组分分布对其室温红外透射谱诸项和吸收边的影响，详细分析了“假生长”的特征、形成机理及严重危害。
关键词：HG1-XCDXTE 液相外延层 红外透射谱 探测器 
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