负阻器件

作品数：68被引量：61H指数：4
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硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性
《电子学报》2000年第8期66-68,71,共4页郑元芬 郭维廉 张世林 张培宁 李树荣 郑云光 陈弘达 吴荣汉 林世鸣 芦秀玲 
集成光电子学国家重点联合实验室!(中科院半导体所 )开放课题 ;国家自然科学基金!(No.698962 60 )
在本文中 ,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究 ,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究 .硅光电负阻器件包括有各种类型 ,本文主要对“λ”型双极光...
关键词：硅光电负阻器件 PLBT 光双稳开关时间 
用硅光电负阻器件产生光学双稳态被引量：9
《电子学报》1998年第8期108-110,共3页郭维廉 张培宁 郑云光 李树荣 郭钢 
国家自然科学基金
本文利用作者近期研制出的硅光电表面负阻晶体管（PNEGIT），首次提出并通过实验成功地实现了一种新的光学双稳态即以PNEGIT作为光输入器件，用它驱动一发光管（LED）作为光输出器件，由于PNEGIT具有负阻输出特性，致使LED输出光功率（P...
关键词：硅光电负阻器件 光学双稳态 光逻辑器件 PNEGIT 
光电负阻晶体管的初步研究被引量：13
《电子学报》1997年第2期100-102,共3页郭维廉 李树荣 郑云光 
自然科学基金
本文对“λ”双极晶体管（ＬＢＴ）型光电负阻晶体管（或称为光电“λ”双极晶管体ＰＬＢＴ）［１］，首次给出了完整的等效电路。并以此等效电路为基础，用ＰＳＰＩＣＥ电路模拟程序，对ＰＬＢＴ的Ｉｐｈ—ＶｃＥ特性进行了模拟．模拟...
关键词：光电器件 负阻器件 
双向负阻器件的数值模拟被引量：3
《电子学报》1996年第2期66-69,共4页李建军 魏希文 王美田 李风银 王化雨 盖学敏 
国家自然科学基金
本文通过对双向负阻器件进行数值模拟，分析了其产生负阻的内部图象，模拟结果表明，高阻集电区厚度的减小或衬底杂质浓度的增加使负阻曲线的摆幅增大，而基区掺杂浓度的提高将使负阻曲线的峰值减小。
关键词：负阻器件 数值模拟 半导体器件 
双管S型负阻器件的研究被引量：7
《电子学报》1995年第2期74-77,共4页魏希文 王美田 李建军 李雪梅 李凤银 王化雨 曹体伦 
国家自然科学基金
模拟电路实验证明用两个同极性的晶体管以多种电路接法都能获得具有Ｓ型负阻特性的两端器件。在此实验基础上研制得到一种双向两端Ｓ型负阻器件（ＴＢＮＲＤ器件）．本文还对该器件产生负阻的原因进行了理论分析。
关键词：负阻器件 两端器件 
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