暗电流

作品数：437被引量：969H指数：13
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：李雪陆卫龚海梅陈效双刘可为更多>>
相关机构：中国科学院电子科技大学中国科学院大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=红外技术x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
nBn结构长波红外碲镉汞器件优化设计
《红外技术》2024年第7期815-820,共6页覃钢 孔金丞 任洋 陈卫业 杨晋 秦强 赵俊 
基础加强计划领域基金(2019-JCJQ-JJ-527)。
分析了Type-I型能带对nBn结构碲镉汞器件性能的影响。通过理论计算获得了势垒层组分、掺杂浓度与能带带阶的关系,确定了nBn结构长波器件吸收层掺杂浓度与暗电流的关系。优化了nBn结构长波红外碲镉汞器件的掺杂浓度、势垒层与吸收层之间...
关键词：nBn结构 长波红外 碲镉汞 能带带阶 暗电流 
高性能512×2元线列InGaAs短波红外探测器
《红外技术》2024年第7期826-830,共5页朱琴 范明国 宋欣波 齐浩泽 方莉媛 管涛 龚晓霞 
针对色选行业对高均匀性、低暗电流、低盲元率的线列InGaAs短波红外探测器的迫切需求,本文基于MOCVD生长的n-i-n型InP/InGaAs/InP外延材料,采用扩散、钝化膜制备、电极生长等工艺,制备了512×2元线列InGaAs短波红外探测器。通过优化器...
关键词：INGAAS 钝化 暗电流 倒装互联 
低能电子轰击引起氧化铝钝化膜BCMOS传感器暗电流变化研究被引量：1
《红外技术》2024年第3期342-346,共5页闫磊 石峰 程宏昌 焦岗成 杨晔 肖超 樊海波 郑舟 董海晨 何惠洋 
微光夜视技术重点实验室基金项目(J20210104)。
针对低能电子(电子能量为300~1500 eV)轰击引起氧化铝钝化层BCMOS(Back-thinned Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,BCMOS)图像传感器暗电流增加问题,设计了电子轰击BCMOS图像传感器实验,经统计发现,对于厚度为10 nm的氧化铝钝化...
关键词：暗电流 电子轰击 背减薄CMOS 氧化铝钝化层 
InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外探测器研究进展
《红外技术》2023年第8期799-807,共9页田亚芳 史衍丽 李方江 
云南贵金属实验室科技计划项目(YPML-2022050220)。
本文系统报道了基于InAs/GaSbⅡ类超晶格(T2SLs)的长波红外探测器的研究进展。从衬底、材料生长以及器件性能角度对比分析了基于GaSb、InAs衬底的各种器件结构的优缺点。分析结果表明,以InAs为衬底、吸收区材料为InAs/InAs1-xSbx、PB1I...
关键词：InAs/GaSbⅡ类超晶格 器件结构 暗电流 量子效率 结构优化 
不同钝化膜对InSb光伏探测器性能影响研究被引量：2
《红外技术》2020年第10期953-957,共5页龚晓霞 肖婷婷 杨瑞宇 黎秉哲 尚发兰 孙祥乐 赵宇鹏 陈冬琼 杨文运 
采用3种不同钝化膜制备InSb探测器,测试不同周长/面积比二极管芯片的I-V特性曲线,通过对偏置电压为-0.1 V时的暗电流密度进行比较,分析了表面漏电流对InSb探测器性能的影响。实验结果表明SiO2+SiNx复合膜能大幅度降低器件表面暗电流,C-...
关键词：钝化膜 InSb探测器 暗电流 固定电荷 
InGaAs/InP红外雪崩光电探测器的研究现状与进展被引量：7
《红外技术》2018年第3期201-208,共8页胡伟达 李庆 温洁 王文娟 陈效双 陆卫 
国家杰出青年基金项目(61725505)。
近年来,量子卫星通信、主动成像等先进技术的应用取得了较大的进展,InGaAs/InP雪崩光电探测器作为信息接收端的核心器件起到了至关重要的作用。本文系统介绍了InGaAs/InP雪崩光电探测器的工作原理,分析了器件结构设计对暗电流特性的影响...
关键词：InGaAs/InP红外雪崩光电探测器 暗电流机制 单光子探测 表面等离共振效应 
子像元结构碲镉汞光伏器件暗电流特性的研究
《红外技术》2017年第6期489-494,共6页乔辉 李向阳 
国家自然科学基金(11304335)
针对碲镉汞光伏器件的暗电流随着物理面积增大而急剧增加,研究了子像元结构在降低大面积短波碲镉汞光伏器件暗电流方面的有效性。发现子像元结构在室温下相比常规结构可以有效降低器件的暗电流,但当温度降到180 K时,常规结构器件反而具...
关键词：暗电流 子像元 光伏器件 漏电体积 碲镉汞 
高性能短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展被引量：25
《红外技术》2016年第8期629-635,共7页邵秀梅 龚海梅 李雪 方家熊 唐恒敬 李淘 黄松垒 黄张成 
国家重点基础研究发展计划(2012CB619200);国家自然科学基金(61376052;61475179)
中科院上海技物所近十年来开展了高性能短波红外InGaAs焦平面探测器的研究。0.9~1.7mm近红外In Ga As焦平面探测器已实现了256×1、512×1、1024×1等多种线列规格,以及320×256、640×512、4000×128等面阵,室温暗电流密度<5 n A/cm^2...
关键词：INGAAS 焦平面 短波红外 暗电流 探测率 
红外焦平面探测器暗电流计算被引量：4
《红外技术》2016年第3期236-238,共3页毛京湘 舒畅 王晓娟 谢刚 黄俊博 周嘉鼎 
红外焦平面探测器的暗电流一般是在零视场(即盲冷屏)条件下进行测试,但这种测试方法必须改变组件结构,只适用于实验室测试。介绍了一种不需要改变组件结构,仅通过基本的性能测试就可以从理论上分析计算得到红外焦平面器件暗电流的方法。...
关键词：红外探测器 焦平面 暗电流 
长波HgCdTe红外探测器的暗电流机理研究进展被引量：8
《红外技术》2015年第5期353-360,379,共9页陈效双 许娇 胡伟达 王俊 陈勇国 黄燕 周孝好 陆卫 
国家自然科学基金重大项目;编号:61290301
介绍了HgCdTe红外探测器的发展历程,详细分析了长波HgCdTe红外探测器的暗电流机制、采用同时拟合方法对暗电流参数进行提取与分析,介绍了为降低暗电流的一些新的研究进展。
关键词：长波HgCdTe红外探测器 暗电流 非线性同时拟合方法 混合表面钝化 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部