半导体薄膜材料

作品数：23被引量：21H指数：3
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相关机构：中国科学院吉林大学华中科技大学许昌学院更多>>
相关期刊：《薄膜科学与技术》《新材料产业》《大自然探索》《磁性材料及器件》更多>>
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Si薄膜低温液相外延被引量：4
《半导体光电》1998年第2期128-132,共5页钱永彪 史伟民 陈培峰 闵嘉华 顾永明 郭燕明 桑文斌 
选用Au／Bi合金熔体在低温下实现了硅薄膜的外延生长，外延温度400℃～500℃，采用Sn源内的饱和硅来保护衬底的方法，以防止升温饱和过程中衬底的氧化。运用扫描电镜、C－V法及俄歇能谱对外延膜形貌和结深附近载流子浓度进行了观察和测量。
关键词：半导体薄膜材料 低温液相外延 硅薄膜 太阳能电池 
三源真空蒸发CuInSe_2薄膜的性能被引量：1
《半导体光电》1998年第2期123-123,127,132,共3页涂洁磊 刘祖明 廖华 陈庭金 王东城 
国家自然科学基金!59162002
详细分析讨论了用三源真空蒸发法制取CuInSe2薄膜过程中，源温、衬底温度及Cu，In原子比值对薄膜性能的影响。
关键词：半导体薄膜材料 太阳电池 三元化合物 
用5晶（7晶）X射线衍线仪研究半导体薄膜材料被引量：1
《半导体光电》1996年第4期374-379,共6页罗江财 杨晓波 
５晶（７晶）Ｘ射线衍射仪非常适合于高级半导体单晶，特别是Ⅲ－Ⅴ族和Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体及其异质外延层的特性分析。本文将简单地介绍５晶（７晶）Ｘ射线衍射仪，以及在半导体薄膜研究中的结果。
关键词：半导体薄膜 5晶X射线衍射 回摆曲线 
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