云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 半导体三极管

半导体三极管: 作品数：157被引量：28H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：李建辉杨建光李晓利王瑞军程序更多>>; 相关机构：上海红讯无线电有限公司华汕电子器件有限公司中央广播电视大学湘潭大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金更多>>

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集成宽频带低噪声晶体管放大器: 《微纳电子技术》1980年第6期20-30,共11页柳长春; 本文围绕晶体管宽频带放大器的设计,简单介绍了晶体管的性能。讨论了晶体管宽带放大器的两种设计方法。通过管芯载体以及π型高通匹配电路的应用,研制出10～1000兆赫低噪声宽频带集成晶体管放大器、20～2000兆赫集成宽带晶体管放大器和2...; 关键词：放大器晶体管增益平坦低噪声实物照片电子设备半导体三极管匹配电路宽波段带宽宽频带

可透基区晶体管的制造和微波性能: 《微纳电子技术》1980年第6期43-46,共4页C.O.Bozler 梁春广; 已经制出了具有极高频率性能潜力的新型晶体管。二维数值模拟计算指出,此种晶体管最高振荡频率可达1000千兆赫。此晶体管的独特之点是在 n 型砷化镓单晶内埋置极为精细的钨栅。; 关键词：最高振荡频率器件晶体管半导体三极管基区肖特基势垒金属-半导体接触基极集电极电流千兆赫发射极

悬浮引线式无管壳晶体管: 《微纳电子技术》1976年第1期56-56,共1页何丁; 据报导,日本电信电话公司武藏野电气通信研究所最近研制出一种无管壳悬浮引线式晶体管(LiftedLeadTransistor)。此种晶体管的结构如下:首先,将厚度约为50微米的晶体管芯片的两个侧面,上表面的一部分及整个下表面电镀上厚度约为30微米的...; 关键词：引线发射极晶体管半导体三极管管壳

互补型金属-氧化物-半导体逻辑电路的传递延迟时间和最佳设计: 《微纳电子技术》1971年第9期51-68,共18页永学先; 关键词：常数键合数学互补型单位面积沟道长度变换器转换器增函数单调函数静算晶体管半导体三极管输出电容微微法下式延迟时间

硅栅金属-氧化物-硅集成电路中寄生厚介质场传导机构的抑制: 《微纳电子技术》1971年第9期101-103,共3页孺子牛; 在硅栅金属-氧化物-硅(以下简称“MOS”)集成电路中,由于增加了多晶硅互连层,因而用接地的多晶硅区作为衬底和金属间的静电屏蔽,以消除在电路中某些临界点处的寄生厚介质场晶体管作用在实际上是可能的。; 关键词：硅栅有源静电屏蔽晶体管半导体三极管衬底基片多晶硅金属金属材料

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