半导体三极管

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三维集成电路的发展趋势
《微电子学》1988年第5期43-54,74,共13页Yoichi AKasaka 黄定礼 
九十年代和九十年代之后,超大规模集成电路(VLSI)将达到最小的极限尺寸,封装密度的进一步提高或功能的进一步增加,可能取决于纵向集成技术。 预计三维(3D)集成将具有以下几个优点:1)平行工艺,2)高速工作,3)高封装密度,4)多功能工作。 ...
关键词:三维集成电路 功能模型 SOI 晶体管 激光 总功耗 半导体三极管 有源层 超大规模集成 超大规模集成电路 
低噪声高电流增益晶体管
《微电子学》1973年第4期68-70,共3页
晶体管噪声新的表示方法,所有四端网络的噪声特性可以用图1中示出的输入转换噪声电压源e_n和噪声电流源i_n以及相关系数γ表示。当给出噪声源并作某些假定之后,且与晶体管参数相比较,这些噪声源可表示为:
关键词:晶体管 半导体三极管 低噪声 基区 电流增益 发射结 集电极电流 
场效应晶体管
《微电子学》1973年第4期72-73,共2页川望 辛鑫 
所谓场效应晶体管(FET)就是用栅电极来控制源、漏电极之间电流沟道的导电率使电流变化的晶体管,按照栅电极的结构有用pn结形成栅的结型场效应晶体管(JFET),用肖特基势垒形成栅的肖特基势垒场效应晶体管(SB FET)和在绝缘层上形成...
关键词:FET 衬底 增强型 基片 半导体三极管 晶体管 栅电极 
大规模集成的新途径—集成注入逻辑
《微电子学》1973年第4期49-56,共8页严炳富 刘恩荣 
适合于大规模集成的逻辑门应满足三个重要要求:为了使含有大约1000个门的集成电路可靠工作和有适当的成品率,工艺必须是简单的和容易控制的。基本门电路亦必须简单和尽可能紧凑,以避免过大的芯片面积。最后,功率一延时乘积必须恰当,使...
关键词:基极电流 传播延时 功耗 注入器 倒相器 载流子注入 集电极电流 晶体管 半导体三极管 电流增益 发射极 
高速微功耗硅—蓝宝石器件
《微电子学》1972年第2期92-92,共1页青锋 
据报导,美国英萨勒克公司研制了两种新的集成电路器件,即64位随机存取存储器和方形晶体管,采用了硅—蓝宝石结构技术,使输入寄生效应和功耗均有所降低,提高了工作速度,。 16字×4位AOL型随机存取存储器的存取时间是40毫微秒,读出周期时...
关键词:蓝宝石 功耗 晶体管 方形 刚玉 半导体三极管 器件 逻辑电路 随机存取存储器 随机存储器 
超高速射极耦合逻辑电路
《微电子学》1972年第2期59-65,共7页劲松 
数字电路大致可分为饱和式电路及非饱和式电路,这主要是根据是否把晶体管用于饱和区来区分的。饱和式电路不能充分发挥晶体管所具有的高速性能,开关速度慢。非饱和式电路开关速度快,但有功耗大的缺点。所以在与速度相比功耗更成问题的...
关键词:发射极 延迟时间 常数 晶体管 ECL 双极集成电路 数学 半导体三极管 电路形式 基极 集电极电阻 基区 
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