P-SI

作品数：177被引量：225H指数：7
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退火温度对室温沉积的ITO薄膜与p-Si接触性能的影响
《半导体光电》2016年第5期666-670,675,共6页吴斯泰 沈鸿烈 李金泽 姚函妤 沈小亮 
国家自然科学基金项目(61176062);江苏省前瞻性联合创新项目(BY2013003-08);江苏高校优势学科建设工程资助项目;中央高校基本科研业务费项目(3082015NJ20150024)
室温下用射频磁控溅射法在玻璃和p型单晶硅衬底上沉积ITO薄膜,并对其进行不同温度的退火处理。采用XRD衍射仪测试薄膜结晶性,用紫外-可见分光光度计和霍尔效应测试试样光电性能,用吉时利2400表测试ITO/p-Si接触的I-V曲线,用线性传输线...
关键词：ITO薄膜 欧姆接触 p型单晶硅 退火 
ZnO/p-Si异质结的I-V及C-V特性研究被引量：1
《半导体光电》2013年第3期436-440,444,共6页熊超 袁洪春 徐安成 陈磊 陆兴中 姚若河 
江苏省高校自然科学研究面上项目(12KJD510001);常州工学院自然科学基金项目(YN1105);常州市科技项目(CJ20120001)
通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在p-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备了ZnO/p-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究。研究表明ZnO/p-Si异质结存在良好的整流特性与光电响应...
关键词：ZnO p-Si异质结 I-V特性 C-V特性 内建电势 界面态 
Pt_xIr_(1-x)Si/p-Si红外探测器的研制
《半导体光电》2009年第6期815-817,827,共4页李华高 刘慧 白雪平 刘英丽 王艳 
使用超高真空磁控溅射系统在p—Si上制备了铂铱硅（PtxIr1-xSi）薄膜，并制作了PtxIr1-xSi／p-Si红外探测器，研究了探测器在3～5btm波段的特性，结果表明，PtxIr1-xSi／p-Si势垒高度为0．177eV，相应红外探测器截止波长为7．0μm。与...
关键词：肖特基势垒 红外探测器 焦平面阵列 铂硅 铱硅 
TiO_2/n-Si/p-Si及n-PS/p-PS/Si的光伏特性被引量：4
《半导体光电》2007年第2期218-220,共3页向梅 贾振红 涂楚辙 
国家自然科学基金资助项目(60267001);中国科学院"西部之光"项目;新疆维吾尔自治区高校科学研究计划项目
在抛光的p型单晶硅上通过扩散工艺制备pn结,采用此种硅片利用阳极腐蚀法制备多孔硅（PS）。用磁控溅射镀膜机在有pn结的单晶硅表面镀上一层TiO2纳米结构薄膜,并用表面光电压谱（SPS）研究了n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的表面光伏特性...
关键词：n-PS/p—PS/Si TiO2/n-Si/p—Si n—Si/p—Si 光伏效应 
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