P型GAN

作品数：29被引量：48H指数：4
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：韩军邢艳辉董建新杨志坚赵德刚更多>>
相关机构：中国科学院西安电子科技大学北京工业大学电子科技大学更多>>
相关期刊：《高技术通讯》《半导体技术》《发光学报》《物理学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=高技术通讯x
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
P型GaN和AlGaN外延材料的制备被引量：1
《高技术通讯》2000年第8期26-29,共4页刘祥林 王成新 韩培德 陆大成 王晓晖 汪度 王良臣 
863计划!( 863 715 0 0 1 0 0 10 );国家自然科学基金!(6978960 1)资助项目
研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0 13Ga0 87N的生长工艺 ,包括掺杂剂量和热退火条件 ,对材料电学性质的影响。得到了性能优良的P型材料 ,并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝光发光二极管。
关键词：P型 GAN ALGAN 外延材料 双异质结 蓝光发光二极管 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部