SBD

作品数：204被引量：259H指数：7
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相关领域：电子电信轻工技术与工程更多>>
相关作者：张玉明宋庆文汤晓燕张艺蒙王悦湖更多>>
相关机构：西安电子科技大学电子科技大学中国电子科技集团第十三研究所深圳天狼芯半导体有限公司更多>>
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新一代功率半导体β-Ga2O3器件进展与展望被引量：3
《微纳电子技术》2019年第11期875-887,901,共14页刁华彬 杨凯 赵超 罗军 
Ga2O3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注。首先,回顾了宽禁带半导体材料β-Ga2O3的基本性质,包括β-Ga...
关键词：β-Ga2O3 超宽禁带半导体 功率器件 肖特基势垒二极管(SBD) 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) 
GaN基SBD功率器件研究进展被引量：6
《微纳电子技术》2014年第5期277-285,296,共10页李迪 贾利芳 何志 樊中朝 王晓东 杨富华 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032302);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2012CB934204);国家自然科学基金资助项目(61076077;61274066);北京市科技计划资助项目(Z13110300590000)
作为第三代宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管(SBD)功率器件具有耐高温、耐高压和导通电阻小等优良特性,在功率器件方面具有显著的优势。概述了基于功率应用的GaN SBD功率器件的研究进展。根据器件结构,介绍了基于材料特性的GaN ...
关键词：氮化镓 肖特基势垒二极管(SBD) 功率器件 肖特基金属 漏电流 等离子体处理 
4H-SiC SBD和JBS退火研究被引量：3
《微纳电子技术》2009年第7期433-436,共4页闫锐 杨霏 陈昊 彭明明 潘宏菽 
在4H-SiC外延材料上制备了SBD和JBS器件,研究并分析了退火温度对这两种器件正反向特性的影响。结果表明,低于350℃退火可同时提高SBD和JBS的正反向特性。当退火温度高于350℃时,二者的正向特性都出现退化,SBD退化较JBS更为严重。JBS阻...
关键词：4H-SIC肖特基势垒二极管 4H-SiC结势垒肖特基 退火 正向特性 反向特性 
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