4H-SIC肖特基势垒二极管

作品数：14被引量：33H指数：4
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基于4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线探测器被引量：2
《物理学报》2016年第20期212-219,共8页杜园园 张春雷 曹学蕾 
国家自然科学基金(批准号:11203026)资助的课题~~
针对极端环境下耐高温和耐辐照半导体核探测器的研制需求,采用外延层厚度为100μm的4H碳化硅(4H-SiC)制备成肖特基二极管探测器,研究了该探测器对^(241)Am源γ射线的能谱响应.采用磁控溅射金属Ni制备了肖特基二极管的欧姆接触和肖特基接...
关键词：4H-SIC 宽禁带半导体 肖特基二极管 Γ射线探测器 
4H-SiC肖特基势垒二极管结终端刻蚀技术研究
《智能电网》2016年第6期550-553,共4页王嘉铭 钮应喜 裴紫微 赵妙 杨霏 李俊杰 李俊峰 张静 许恒宇 金智 刘新宇 
国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-14-004)~~
碳化硅(SiC)材料在高温、高压、大功率等器件领域有着广阔的应用前景。结终端技术(junction terminal technology,JTT)直接影响着高压SiC肖特基势垒二极管(Schottky barrier diodes,SBD)的耐压性能,而刻蚀技术又是制备结终端结构的关键...
关键词：SIC 肖特基势垒二极管 结终端技术 耐压性能 
浅析高温Ti4H-SiC肖特基势垒二极管的特性
《电子世界》2014年第10期499-499,共1页陈守迎 张聪 汤德勇 
SiC是新一代高温、高频、大功率和抗辐照半导体器件和集成电路的半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子漂移速率、高热导率及抗辐照能力强等一系列优点肖特基势垒二极管是实现各种SiC器件的基础,因此对SiC肖特基势垒二极管高温特性的...
关键词：碳化硅 肖特基势垒二极管 伏安特性 热电子发射理论 
Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管抗辐射特性的研究被引量：11
《物理学报》2011年第5期545-549,共5页张林 肖剑 邱彦章 程鸿亮 
西安市科技计划项目(批准号:CXY1012);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:CHD2010JC054)资助的课题~~
本文采用γ射线、高能电子和中子对Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)的抗辐射特性进行了研究.研究发现对于γ射线和1MeV电子辐照,-30V辐照偏压对器件的辐照效应没有明显的影响.经过1Mrad(Si)的γ射线或者1×l013n/cm2的中子辐照后,Ti/4H-...
关键词：碳化硅 肖特基 辐照 偏压 
对具有结终端保护的4H-SiC肖特基势垒二极管的研究被引量：1
《中南林业科技大学学报》2010年第5期179-183,共5页张发生 李欣然 
湖南省高等学校科学研究项目(08C942);湖南省科技厅科技项目(2008FJ3102)
在对4H—SiC高压肖特基势垒二极管进行了理论分析的基础上,利用仿真软件ISE10.0对具有结终端保护的4H—SiC高压肖特基势垒二极管耐压特性进行了模拟仿真计算,并取得了很多有价值的计算结果。利用平面制造工艺,结合仿真提取的参数,试制...
关键词：肖特基势垒二极管 结终端技术 模拟 反向耐压 工艺 
基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管研制被引量：2
《固体电子学研究与进展》2010年第1期146-149,共4页张发生 李欣然 
湖南省高等学校科学研究项目(08C942);湖南省科技厅科技项目(2008FJ3102)
采用高真空电子束热蒸发金属Ni分别作肖特基接触和欧姆接触,离子注入形成结终端扩展表面保护,研制出Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)。I-V特性测量说明,Ni/4H-SiCSBD有较好的整流特性,热电子发射是其主要的运输机理。实验测量其反向击...
关键词：碳化硅 肖特基势垒二极管 结终端扩展 欧姆接触 
4H-SiC SBD和JBS退火研究被引量：3
《微纳电子技术》2009年第7期433-436,共4页闫锐 杨霏 陈昊 彭明明 潘宏菽 
在4H-SiC外延材料上制备了SBD和JBS器件,研究并分析了退火温度对这两种器件正反向特性的影响。结果表明,低于350℃退火可同时提高SBD和JBS的正反向特性。当退火温度高于350℃时,二者的正向特性都出现退化,SBD退化较JBS更为严重。JBS阻...
关键词：4H-SIC肖特基势垒二极管 4H-SiC结势垒肖特基 退火 正向特性 反向特性 
Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应被引量：7
《物理学报》2009年第4期2737-2741,共5页张林 张义门 张玉明 韩超 马永吉 
国家自然科学基金(批准号:60606022);西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200702)资助的课题~~
对制备的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)进行了γ射线辐照试验,并在辐照过程中对器件分别加0和-30V偏压.经过1Mrad(Si)总剂量的γ射线辐照后,不同辐照偏压下的Ni/4H-SiC肖特基接触的势垒高度和理想因子没有退化,SiC外延层中的少子寿命...
关键词：碳化硅 肖特基 辐照效应 偏压 
Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管研制
《固体电子学研究与进展》2008年第1期29-32,共4页张发生 李欣然 
高校青年教师科研基金资助项目
采用微电子平面工艺,高真空电子束热蒸发金属Ni分别作肖特基接触和欧姆接触,二级场限环终端表面保护,研制出Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)。I-V特性测量说明,Ni/4H-SiCSBD有较好的整流特性,热电子发射是其主要的运输机理。反向击穿电...
关键词：碳化硅 肖特基势垒二极管 电特性 
Ni，Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管
《固体电子学研究与进展》2007年第4期464-467,共4页汪浩 柏松 陈刚 李哲洋 刘六亭 陈雪兰 邵凯 
采用本实验室生长的4H-SiC外延片,分别用高真空电子束蒸Ni和Ti做肖特基接触金属,Ni合金作欧姆接触,SiO_2绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术,制作出4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)。该器件在室温下反向击穿电压大于600 V,对应的漏电流...
关键词：碳化硅 外延 肖特基势垒二极管 击穿电压 
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