SI-GAAS

作品数：50被引量：23H指数：3
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相关作者：刘彩池孙卫忠徐岳生王海云李国辉更多>>
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相关期刊：《半导体技术》《北京师范大学学报（自然科学版）》《核技术》《电子器件》更多>>
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离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究
《半导体技术》2008年第S1期42-44,67,共4页王娜 王丽华 孙卫忠 郝秋艳 刘彩池 
河北省自然科学基金(08B013);河北省科学与技术研究与发展指导计划(07215138)
用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型。...
关键词：半绝缘砷化镓 离子注入 电特性 快速热退火 
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