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SI-GAAS: 作品数：50被引量：23H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：刘彩池孙卫忠徐岳生王海云李国辉更多>>; 相关机构：中国科学院河北工业大学北京师范大学西安理工大学更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《北京师范大学学报（自然科学版）》《核技术》《电子器件》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国人民解放军总装备部预研基金更多>>

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砷化镓超高速电路用SI-GaAs材料——Ⅲ.GaAs中杂质和缺陷的行为;Ⅳ.SI-GaAs单晶的特性: 《微电子学》1991年第5期78-82,共5页鄢俊明; 3.GaAs中的杂质和缺陷的行为 3.1 GaAs中的施主、受主、中性、双性和深能级杂质 GaAs中的掺杂技术比Si中复杂,可选择的杂质较多,杂质在GaAs中可替代Ga或As原子,也可处于GaAs晶格的间隙位置上,因而表现出不同的电学性质。; 关键词：高速电路 GsAs 杂质缺陷 SI-GAAS

采用P^+共同注入改进SI-GaAs Si^+注入层的电特性: 《微电子学》1990年第1期1-5,共5页陈堂胜罗晋生; 在SI—GaAs Si^+注入层中共同注入P^+可以改进注入层的电特性。P^+的共同注入提高了注入层的激活率和平均霍耳迁移率。对于Si^+注入的剂量和能量分别为4×10^(12)cm^(-2)/30keV+5×10^(12)cm^(-2)/130keV的样品,得到了激活率为75～85％...; 关键词：离子注入 SI-GAAS SI 注入层

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