SOI结构

作品数：47被引量：52H指数：4
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相关机构：中国科学院中国科学院微电子研究所复旦大学中国科学院上海冶金研究所更多>>
相关期刊：《电子世界》《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》《物理学报》《物理》更多>>
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基于SOI结构的1×8阵列上下载微环滤波器被引量：4
《光电子．激光》2010年第8期1125-1128,共4页王世君 黄永箴 
国家自然科学基金资助项目(60777028,60723002,60838003);国家重点基础研究计划资助项目(2006CB302804)
利用193 nm深紫外曝光的方法应用CMOS技术,在SOI片上加工制作了1×8阵列上下载微环滤波器,微环半径分别为21.0、20.5、20.0和19.5μm。通过测量直通端的透射光谱,在1 540～1 560 nm的波段上观测到微环阵列谐振波长的透射谱凹陷,对应的...
关键词：SOI 1×8阵列上下载微环滤波器 消光比 自由谱宽 
多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构被引量：2
《Journal of Semiconductors》2003年第2期189-193,共5页谢欣云 刘卫丽 门传玲 林青 沈勤我 林成鲁 
国家重点基础研究专项经费 (No.G2 0 0 0 0 3 65 );国家自然科学基金 (批准号 :699760 3 4)资助项目 ~~
为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的 SOI新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .
关键词：绝缘埋层 氮化硅薄膜 SOI结构 多孔硅外延转移 
一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展
《物理》2002年第4期219-223,共5页安正华 张苗 门传玲 谢欣云 沈勤我 林成鲁 
国家重点基础研究专项经费 (批准号 :G2 0 0 0 0 36 5 ) ;国家自然科学基金 (批准号 :No 6 990 6 0 0 5 );上海市青年科技启明星计划(批准号 :No 0 1QMH14 0 3)资助项目
SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时具备了SOI技术和SiG...
关键词：绝缘层 硅 锗硅 集成电路 SIGE SI SOI结构 iGe-OI材料 
BPM方法在SOI结构中的应用被引量：1
《Journal of Semiconductors》2002年第2期169-173,共5页张小峰 余金中 王启明 魏红振 
国家自然科学基金(批准号 69990 5 40及 698962 60 -0 6);科技部 973资助项目 (合同号 G2 0 0 0 0 3 66)~~
采用交错隐式算子分裂 (ADI)算法 ,设计、实现了一种高速、高精度的波束传播方法 (BPM)来模拟 SOI波导中不同偏振态的光传输 ,研究了 PML 边界层的选取对虚传播计算基模和基模传播常数的影响 ,给出了大光腔
关键词：BPM方法 ADI方法 PML边条件 SOI结构 波导 
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