SOI器件

作品数：55被引量：59H指数：4
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相关作者：黄如韩郑生张兴罗家俊安霞更多>>
相关机构：北京大学中国科学院微电子研究所西安电子科技大学中国科学院更多>>
相关期刊：《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《太赫兹科学与电子信息学报》更多>>
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SOI器件X射线与^(60)Co γ射线总剂量效应比较被引量：1
《电子器件》2010年第4期416-419,共4页何玉娟 罗宏伟 恩云飞 张正选 
重点实验室基金项目资助(9140C030604070C0304);国家十一五预研项目资助(51323060401)
为进行10keVX射线和60Coγ射线总剂量辐射效应的比较,采用这两种辐射源对SOI(Silicon-on-Insulator)n-MOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐照试验,分析了SOINMOS器件在两种辐射源下辐照前后的阈值电压的漂移值并进行比较。实验结果表明,...
关键词：可靠性 辐射 总剂量效应 X射线 Γ射线 
新型多栅全耗尽SOI器件研究进展
《电子器件》2007年第3期841-845,共5页蔡小五 海潮和 周华杰 
随着器件尺寸的不断缩小,对更大驱动电流和更有效抑制短沟道效应器件的研制成为研究的热点,SOI多栅全耗尽器件由于对沟道更好控制能力能够有效地解决尺寸缩小带来的短沟道效应问题[1].本文主要介绍SOI/MOSFET单栅、平面双栅、FinFET、...
关键词：全耗尽 SOI 多栅 
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