SOI器件

作品数：55被引量：59H指数：4
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相关作者：黄如韩郑生张兴罗家俊安霞更多>>
相关机构：北京大学中国科学院微电子研究所西安电子科技大学中国科学院更多>>
相关期刊：《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《太赫兹科学与电子信息学报》更多>>
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150 nm FDSOI器件的背栅NBTI效应研究
《固体电子学研究与进展》2023年第6期552-556,共5页赵杨婧 禹胜林 赵晓松 洪根深 顾祥 
负偏置温度不稳定(NBTI)是器件的主要可靠性问题之一,本文通过对150 nm工艺的FDSOI器件进行加速应力试验,分析了不同栅极偏置应力、温度应力下器件阈值电压和饱和电流的退化特性,发现背栅偏置更容易导致NBTI退化,同时研究了正背栅耦合...
关键词：负偏置温度不稳定性(NBTI) 全耗尽型绝缘体上硅 背栅偏置 正背栅应力耦合 
SOI器件的kink效应研究
《固体电子学研究与进展》2022年第3期225-229,共5页王青松 彭宏伟 黄天 杨正东 朱少立 徐大为 
研究了SOI器件中的kink效应,主要包括不同器件类型、不同体接触结构、沟道长度以及栅氧厚度对kink效应的影响。研究发现NMOS器件由于能够产生较多的电子空穴对,在输出特性曲线中呈现明显的kink效应,而PMOS器件由于空穴的电离率较低,碰...
关键词：SOI器件 KINK效应 I-V特性 
基于等效电容法对SOI器件自加热效应研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2006年第4期450-455,共6页高勇 张新 刘梦新 安涛 王彩琳 邢昆山 
针对目前常规SOI器件高温特性存在的问题,提出了采用等效电容法分析器件自加热效应的新观点,对抑制自加热效应原理进行了新的解析,根据埋层材料的介电常数不同,按等效电容法进行埋层厚度折算。在此基础上,提出了SOI器件的埋层新结构,并...
关键词：绝缘体上的硅 埋层结构 自加热效应 介电常数 高温特性 
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