ALGAINAS

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高性能低阈值高温无致冷1.3μm AlGaInAs量子阱激光器
《光通信研究》2001年第4期48-51,共4页郑鹏 王任凡 岳爱文 李林 沈坤 
讨论了影响激光器高温特性的主要因素 ,提出了在 1 .3μm高温无致冷 Al Ga In As应变量子阱激光器中采用倒台脊波导 ( RM- RWG)结构可以改善激光器高温无致冷的工作特性 ,研制出了 RM- RWG结构的 1 .3μm高温无致冷 Al Ga In As应变量...
关键词：半导体激光器 ALGAINAS 量子阱激光器 高温无致冷 
高功率1.31μm AlGaInAs应变多量子阱DFB激光器
《光通信研究》1999年第6期44-46,59,共4页杨新民 李同宁 刘涛 周宁 金锦炎 李晓良 
采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构，同１．３１μｍＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在２５℃时，管芯最大输出功率超过５０ｍＷ，阈值电流范围在１３－２０ｍＡ之间，发光面斜效率高于０．...
关键词：ALGAINAS 应变多量子阱 DFB激光器 
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