ALGAN/GANHEMT

作品数：10被引量：22H指数：3
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相关作者：袁婷婷曾轩刘新宇刘果果王亮更多>>
相关机构：西安电子科技大学电子科技大学中国科学院微电子研究所北京工业大学更多>>
相关期刊：《微纳电子技术》《电子器件》《微波学报》《微电子学》更多>>
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一个8GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路被引量：1
《电子器件》2009年第1期24-27,共4页张辉 陈晓娟 刘果果 曾轩 袁婷婷 陈中子 王亮 刘新宇 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新工程(批准号:KGCX2-SW-107)
论述了一个在8 GHz下基于AlGaN/GaN HEMT功率放大器HMIC的设计、制备与测试。该电路包含了1个10×100μm的AlGaN/GaN HEMT和输入输出匹配电路。在偏置条件为VDS=40 V、IDS=0.16 A时输出连续波饱和功率在8GHz达到36.5 dBm(4.5 W),PAE为6...
关键词：ALGAN/GANHEMT 内匹配 混合集成电路 功率放大器 
基于AlGaN/GaN HEMT的X波段内匹配功率合成放大器的设计被引量：5
《电子器件》2008年第6期1794-1796,共3页曾轩 陈晓娟 刘果果 袁婷婷 陈中子 张辉 王亮 李诚瞻 庞磊 刘新宇 刘键 
利用内匹配和功率合成技术设计了X波段AlGaN/GaN HEMT功率合成放大器。电路包含有四个AlGaN/GaNHEMT和制作在Al2O3陶瓷基片上的输入输出匹配电路。在偏置条件VDS=30 V,IDS=700 mA时8 GHz测出连续波饱和输出功率达到Psat=40 dBm(10 W),最...
关键词：ALGAN/GANHEMT 内匹配 功率合成 功率放大器 
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管大信号I-V特性模型(英文)
《电子器件》2007年第2期353-355,共3页常远程 张义门 张玉明 曹全君 王超 
国家基础项目资助(2002CB311904)
对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是Al GaN/GaN HEMT大信号模型的最重要部分之一.Materka模型考虑了夹断电压与Vds的关系,其模型参数只有三个,但是Ids与Vgs的平方关系不符合实际,计算结果与测量数据有误差.我们在考虑了栅电压与漏...
关键词：器件模拟 大信号模型 ALGAN/GANHEMT I-V特性 
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