BJT

作品数：163被引量：158H指数：6
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一种低失调高压大电流集成运算放大器被引量：13
《半导体技术》2019年第1期8-14,共7页施建磊 杨发顺 时晨杰 胡锐 马奎 
国家自然科学基金资助项目(61464002,61664004);贵州省重大科技专项资助项目(黔科合重大专项字[2015]6006);贵州省科技计划项目(黔科合平台人才[2017]5788号)
基于结型场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)兼容工艺,设计了一种低失调高压大电流集成运算放大器。电路输入级采用p沟道JFET (p-JFET)差分对共源共栅结构;中间级以BJT作为放大管,采用复合有源负载结构;输出级采用复合npn达林顿管阵...
关键词：集成运算放大器 共源共栅结构 结型场效应晶体管(JFET) 双极型晶体管(BJT) 低失调 大电流 
一款高性能JFET输入运算放大器被引量：10
《半导体技术》2018年第2期115-119,135,共6页张明敏 王成鹤 杨阳 吴昊 何峥嵘 
基于结型场效应晶体管（JFET）和双极型晶体管（BJT）兼容工艺设计了一种高性能运算放大器。电路设计采用了JFET作为运算放大器的输入级,实现了高输入阻抗和宽带宽,采用BJT实现了高的转换速率和高的可靠性。基于运算放大器工作原理的分...
关键词：结型场效应晶体管(JFET) 双极型晶体管(BJT) 运算放大器 兼容工艺 高输入阻抗 
提高4H-SiC横向BJT电流增益的新思路
《半导体技术》2013年第5期342-346,共5页邓永辉 盛况 谢刚 
教育部高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20100101110056);浙江省自然科学杰出青年基金资助项目(R1100468)
为了获得4H-SiC横向BJT器件高耐压下的高电流增益,文中通过降低漂移区的掺杂浓度(NDRI),使得漂移区内靠近基极方向的电场强度降低,从而使集-基结在基区的耗尽大幅减小。通过对基区的优化,就可以在高耐压下获得高电流增益。仿真结果表明...
关键词：4H-SIC 横向BJT 电流增益 击穿电压 漂移区 
SiGe HBT和Si BJT的γ射线辐照效应比较被引量：1
《半导体技术》2002年第12期68-71,共4页康爱国 孟祥提 王吉林 贾宏勇 陈培毅 钱佩信 
国家自然科学基金项目 (10075029)
比较了经剂量为400 krad(Si)的γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化。 通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下...
关键词：SiGe HBT SI BJT γ射线辐射 直流电学特性 硅锗异质结对极晶体管 同硅双极晶体管 
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