BSIM3V3

作品数：10被引量：13H指数：2
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：谷峰刘军孙玲玲刘志宏李海更多>>
相关机构：清华大学杭州电子科技大学复旦大学中国科学院更多>>
相关期刊：《电子世界》《微电子学与计算机》《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》更多>>
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一个带自热效应的新型LDMOS解析模型被引量：1
《微电子学》2009年第4期536-540,共5页高雯 杨东旭 余志平 
介绍了一个带自热效应的新型LDMOS解析式模型。通过研究以阈值电压为基础的BSIM3v3模型,增加了对漂移区影响的考虑,同时,加入自热效应影响,且不用引入单独的自热网络,有效地提高了计算效率。模型中引入有物理背景的新参数来描述LDMOS特...
关键词：LDMOS 自热效应 BSIM3V3 解析模型 
优化的BSIM3V3模型参数提取策略被引量：5
《微电子学》2000年第6期387-390,共4页李海 王纪民 刘志宏 
采用 Silvoca公司的 UTMOST模型参数提取程序对 BSIM3V3模型参数进行提取 ,得出了BSIM3V3模型参数随器件尺寸变化的规律 ,并将此方法应用于清华大学微电子所工艺线 1 .0 μm工艺 ,给出此工艺下的多尺寸器件的 BSIM3V3模型参数。同时 ,...
关键词：BSIM3模型 模型参数提取策略 集成电路 
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