CMOS带隙基准电压源

作品数：35被引量：104H指数：6
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相关机构：中国科学院微电子研究所东南大学厦门大学西安电子科技大学更多>>
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一种1.8V24×10^(-6)/℃宽温度范围CMOS带隙基准电压源(英文)被引量：1
《电子器件》2006年第3期697-700,共4页马建斌 金湘亮 计峰 陈杰 
国家自然科学基金(90307012)
阐述了一种输出电压为853 mV的带隙基准电压源电路,该电路采用0.18μm标准CMOS工艺实现,可在1.8 V的电源电压下工作,在-20℃到120℃温度范围内其温度系数为24×10-6/℃。在频率低于10kHz时,电源抑制比保持在-66dB。电路版图的有效面积为...
关键词：带隙基准电压源 CMOS工艺 宽温度范围 电源抑制比 电路版图 传感器芯片 输出电压 温度系数 
一种低温漂CMOS带隙基准电压源的设计被引量：17
《电子器件》2004年第1期79-82,共4页陈碧 罗岚 周帅林 
阐述了一种采用了一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。该电路采用Chartered0.25 μm N阱CMOS工艺实现。基于HSPICE的仿真结果表明:当温度在-25℃到85℃之间变化时该电路输出电压的温度系数为12.10^(-6)/℃、。在3.3 V电源...
关键词：带隙参考电压源 温度补偿 电源抑制比 
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