CZSI

作品数：22被引量：12H指数：2
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CZSi中Ge增强氧外扩散现象
《半导体杂志》1999年第4期15-17,共3页张维连 檀柏梅 孙军生 张恩怀 张志成 
国家自然科学基金资助项目!(59772037);河北省自然科学基金资助项目!(594061)
在退火处理时，Ｇｅ 易与Ｓｉ 中Ｏ 形成易挥发的ＧｅＯ 复合体，使硅片表面洁净区的形成受氧的外扩散和ＧｅＯ 挥发两种因素制约。即从效果上看，Ｇｅ 增强了氧的外扩散。
关键词：CZSI 氧沉淀 锗 氧外扩散 退火处理 
掺锗CZSi中光致发光谱的研究
《半导体杂志》1996年第3期18-20,共3页闫书霞 张维连 孙军生 
本文研究了掺有不同浓度锗的直拉硅（ＣＺＳｉ）在温度３５０℃～５５０℃等时退火后的光致发光谱（ＰＬ谱）。结果发现：杂质锗使硅材料的本征激发峰强度增加，ＰＬ谱随着锗浓度的增加，峰位向低能端移动，ＰＬ峰变宽。实验也表明：随...
关键词：直拉硅 掺杂 光致发光谱 退火 
不同原始电阻率NTDCZSi的退火行为
《半导体杂志》1991年第3期54-55,28,共3页张维连 
关键词：半导体器件 NTD CZSI 电阻率 退火 
CZSi的辐照加速氧沉淀现象
《半导体杂志》1990年第1期54-55,共2页张维连 
关键词：CZSI 辐照 氧沉淀现象 半导体材料 
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