DOPED

作品数：1627被引量：2342H指数：14
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Performance of an InP DHBT Grown by MBE被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第5期792-795,共4页苏树兵 刘新宇 徐安怀 于进勇 齐鸣 刘训春 王润梅 
We report the performance of the first self-aligned InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistor （DHBT） produced in China. The device has a 2μm × 12μm U-shaped emitter area and demonstrates a peak common-e...
关键词：MBE Be-doped InGaAs base INP double heterojunction bipolar transistor 
Device Characteristics Comparison Between GaAs Single and Double Delta-Doped Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors
《Journal of Semiconductors》2004年第3期247-251,共5页陈震 郑英奎 刘新宇 和致经 吴德馨 
The Al 0.24Ga 0.76As/In 0.22Ga 0.78As single delta-doped PHEMT (SH-PHEMT) and double delta-doped PHEMT (DH-PHEMT) are fabricated and investigated.Based on the employment of double heterojunction,double del...
关键词：pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT) delta dope LINEARITY 
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