EL2

作品数：38被引量：26H指数：3
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相关作者：杨瑞霞李光平施卫李光平杨锡权更多>>
相关机构：河北工业大学河北工学院中国科学院天津电子材料研究所更多>>
相关期刊：《半导体杂志》《中国中西医结合外科杂志》《固体电子学研究与进展》《Semiconductor Photonics and Technology》更多>>
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Peculiar Photoconduction in Semi-Insulating GaAs Photoconductive Switch Triggered by 1064nm Laser Pulse 被引量：4
《Journal of Semiconductors》2005年第3期460-464,共5页施卫 戴慧莹 张显斌 
国家自然科学基金资助项目(批准号:10390160;10376025;50477011)~~
The peculiar photoconduction in semi insulating GaAs photoconductive switch being triggered by 1064nm laser pulse is reported.The gap between two electrodes of the switch is 4mm.When it is triggered by laser pulse wi...
关键词：photoconductive switch semi-insulating GaAs EL2 deep level 
Investigation of GaAs Photoconductive Switch Irradiated by 1553nm Laser Pulse
《Journal of Semiconductors》2003年第10期1016-1020,共5页施卫 贾婉丽 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 0 770 17)~~
Gallium arsenide (GaAs) photoconductive semiconductor switches (PCSS's) with a 1.55mm gap spacing trigged by 1553nm femtosecond fiber laser pulse is presented.The switches are biased with 3.33～10.3kV/cm and irradiate...
关键词：semi-insulating GaAs photoconductive switch EL2 deep level 
EL2光淬灭过程中光电导增强现象原因新探被引量：2
《Journal of Semiconductors》1994年第5期324-328,共5页徐波 王占国 万寿科 孙红 张辉 杨锡权 林兰英 
本文用光电导的实验方法对ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ单晶中ＥＬ２能级的光淬灭过程进行了研究．通过对实验结果的分析，提出了一种解释ＥＬ２淬灭过程中ＥＰＣ现象起因的模型：光照前因补偿受主而已经电离的一部分ＥＬ２中心在近红外光照射...
关键词：光电导增强 费米能级 砷化镓 单级 
光电流瞬态谱中半绝缘砷化镓的EL2峰的研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1993年第11期659-663,共5页龚大卫 孙恒慧 
国家自然科学基金
本文用加栅的光电流瞬态谱(PICTS)方法研究了半绝缘砷化镓材料中的深能级缺陷,发现加栅后可使PICTS对EL2等靠近禁带中央的缺陷变得灵敏,并分析了其中原因,认为材料中费米能级位置对PICTS结果有影响。
关键词：砷化镓 光电流 瞬态谱 
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