云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- FD-SOI

FD-SOI: 作品数：44被引量：21H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：曾传滨高林春罗家俊李晓静韩郑生更多>>; 相关机构：上海功成半导体科技有限公司中国科学院中国科学院大学中国科学院微电子研究所更多>>; 相关期刊：《中国科学：信息科学》《新电脑》《今日电子》《电子产品世界》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家部委预研基金更多>>

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FD-SOI器件中PMOS源漏区外延层形貌改善研究: 《集成电路应用》2024年第2期60-62,共3页方精训吕健; 阐述FD-SOI器件中SiGe-RSD形貌不规则是导致Si Cap层被金属扎穿的原因。针对这一问题,对SiGe-RSD的制备工艺进行逐层(L1/L2/L3)优化,最终制备出形貌规则、表面平整的样品。随后的接触通孔工艺环节Si Cap层未被扎穿,形成良好的合金,器件P...; 关键词：集成电路制造 FD-SOI 外延凸起源漏结构

全耗尽绝缘硅FD-SOI工艺技术的特点分析: 《集成电路应用》2017年第11期38-41,共4页孔文; 上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2016.160220); 在先进的IC制造工艺方面,由Intel主导的Fin FET一直大行其道。而最近这几年,SOI,包括FD-SOI和RF-SOI越来越受到人们的关注,特别是随着物联网和5G时代的到来,其技术优势和应用前景也越发地被看好。在应用层面,总的来说,Fin FET的目标市...; 关键词：集成电路制造全耗尽绝缘硅 RF-SOI

格罗方德与芯原合作开发FD-SOI工艺: 《集成电路应用》2015年第10期43-43,共1页; 全球能提供Fin FET工艺的fab就是英特尔、TSMC、三星、Global Foundries（格罗方德半导体）这几家,而目前能提供相对稳定量产的就是英特尔,三星与TSMC还在纠结中。Fin FET是一个难度十分高的工艺,对稳定性要求非常高。而面对下一代的手...; 关键词：SOI工艺合作开发芯片设计公司 TSMC FET 相对稳定手机芯片网络芯片

FD-SOI能否成为28nm以后的集成电路工艺路线被引量：1: 《集成电路应用》2014年第12期26-31,共6页张毓波; FD-SOI工艺在中国能否获得支持和采用正处在关键期。先进半导体制造产线的巨额投资,使FD-SOI工艺、平面工艺、Fin FET工艺之战引人瞩目。FD-SOI被认为是其中的黑马,尽管实际上目前备受关注的是其在平面工艺范畴中的表现,但FD-SOI也具备...; 关键词：集成电路制造工艺FD—SOI 28nm

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