云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- FD-SOI

FD-SOI: 作品数：44被引量：21H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：曾传滨高林春罗家俊李晓静韩郑生更多>>; 相关机构：上海功成半导体科技有限公司中国科学院中国科学院大学中国科学院微电子研究所更多>>; 相关期刊：《中国科学：信息科学》《新电脑》《今日电子》《电子产品世界》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家部委预研基金更多>>

-

在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...

选择条件：

主题=NM

共条记录，以下是1-3

全选清除导出

参考文献引证文献引用追踪

视图：

排序：

28 nm超薄体FD-SOI高温特性研究被引量：2: 《微电子学》2021年第4期577-581,共5页张颢译曾传滨李晓静高林春罗家俊韩郑生; 国家自然基金青年基金项目(61804168)。; 研究了低阈值电压(LVT)结构的28 nm超薄体全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)MOSFET的高温下特性。在300℃下对器件进行测试,将FD-SOI与部分耗尽(PD)SOI进行参数对比。结合理论分析,证明了高温下超薄体FD-SOI具有比PD-SOI更低的阈值电压漂移率和...; 关键词：高温器件阈值电压亚阈值摆幅超薄体FD-SOI

28-nm UTBB FD-SOI vs. 22-nm Tri-Gate FinFET Review: A Designer Guide—Part II: 《Circuits and Systems》2017年第5期111-121,共11页Ali Mohsen Adnan Harb Nathalie Deltimple Abraham Serhane; This is Part II of a two-part paper that explores the 28-nm UTBB FD-SOI CMOS and the 22-nm Tri-Gate FinFET technology as the better alternatives to bulk transistors especially when the transistor’s architecture is go...; 关键词：UTBB FD-SOI: Ultra-Thin Body and Box Fully Depleted Silicon on Insulator Tri-Gate FINFET DIBL: Drain Induced Barrier Lowering

28-nm UTBB FD-SOI vs. 22-nm Tri-Gate FinFET Review: A Designer Guide—Part I: 《Circuits and Systems》2017年第4期93-110,共18页Ali Mohsen Adnan Harb Nathalie Deltimple Abraham Serhane; Nowadays, transistor technology is going toward the fully depleted architecture;the bulk transistors are becoming more complex in manufacturing as the transistor size is becoming smaller to achieve the high performanc...; 关键词：UTBB FD-SOI: Ultra-Thin Body and Box Fully Depleted Silicon on Insulator Tri-Gate FINFET DIBL: Drain Induced Barrier Lowering

全选清除导出

共1页<1>

检索报告对象比较聚类工具使用帮助返回顶部