GAAS器件

作品数：37被引量：44H指数：3
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相关机构：河北半导体研究所信息产业部电子第五研究所中国科学院中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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GaAs器件寿命试验结温测试方法研究
《电子产品可靠性与环境试验》2012年第B05期118-121,共4页洪潇 芦忠 来萍 
在GaAs器件寿命试验中,器件的性能参数退化与结温密切相关。对于如何确定结温问题进行了研究,介绍了热阻的定义以及目前热阻测试中常用的方法。针对GaAs器件长期使用中出现的参数漂移、输出功率下降等问题,试验设计了4种相关的单机理评...
关键词：砷化镓器件 热阻测试 结温 
GaAs器件和MMIC的失效分析被引量：17
《失效分析与预防》2010年第3期187-192,共6页崔晓英 黄云 恩云飞 
国防科技重点实验室基金项目(JS0926270)
从可靠性物理的角度,分析引起砷化镓(GaAs)器件和单片微波集成电路(MMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAsMMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入了损伤退化,并针对几种常见的失效原因:过电烧...
关键词：砷化镓器件 单片微波集成电路 失效模式和机理 失效分析 
GaAs器件寿命试验及其方法比较被引量：3
《电子产品可靠性与环境试验》2009年第B10期80-85,共6页崔晓英 
本文介绍了加速寿命试验方法的理论基础,并针对GaAs器件概述了几种常用的寿命试验方法及其数据处理模型,在阐述了加速寿命试验的实施过程后,对几种寿命试验方法进行了比较,并明确其各自的优缺点,指出研究既快速又准确的加速寿命测试方...
关键词：GAAS 可靠性 加速寿命试验 寿命评估 
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