云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GE/SI

GE/SI: 作品数：75被引量：74H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：陈松岩宋建军杨宇张鹤鸣王巍更多>>; 相关机构：云南大学西安电子科技大学中国科学院闽南师范大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>

助剂In引入对Ge/SiO_(2)催化剂丙烷脱氢性能的影响: 《化工进展》2025年第2期879-886,共8页张焕玲马会霞周峰赵成浩祝晓琳王国玮李春义; 国家自然科学基金(22178390);山东省自然科学基金(ZR2022MB023)。; 继Sn、Pb脱氢活性发现之后,同主族的Ge也被证实具有催化丙烷脱氢的能力。本文通过硅溶胶法将In物种引入Ge/SiO_(2)催化剂,考察了In物种以及In物种含量对Ge/SiO_(2)催化剂丙烷脱氢性能的影响,并辅以X射线衍射、X射线荧光光谱分析、N_(2)...; 关键词：Ge/SiO_(2)催化剂稳定性几何效应丙烷脱氢硅溶胶法

Regulating Effect of Substrate Temperature on Sputteringgrown Ge/Si QDs under Low Ge Deposition: 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》2024年第4期888-894,共7页舒启江 YANG Linjing LIU Hongxing 黄鹏儒; Founded by the National Key Research and Development Program(No.2021YFB3802400);the National Natural Science Foundation of China(No.52161037);the Basic Research Project of Yunnan Province(No.202001AU070112)。; The effect of deposition temperature on the morphology and optoelectronic performance of Ge/Si QDs grown by magnetron sputtering under low Ge deposition(~4 nm)was investigated by atomic force microscopy,Raman spectros...; 关键词：Ge/Si QDs deposition temperatures evolution law photoelectric performance

基于poly-Si键合层的SACM型Ge/Si APD的优化设计研究: 《中国激光》2024年第8期46-59,共14页张娟苏小萍李嘉辉王战仁柯少颖; 国家自然科学基金(62004087)。; Ge/Si雪崩光电二极管(APD)被广泛应用于近红外探测领域,但由于Ge和Si之间存在4.2%的晶格失配,故难以获得高性能的Ge/Si APD。提出在Ge/Si键合界面处引入多晶硅(poly-Si)键合中间层,弱化Ge/Si失配晶格对APD器件性能的影响。poly-Si引入...; 关键词：材料 Ge/Si雪崩光电二极管晶格失配 poly-Si键合层掺杂浓度

Self-Oscillated Growth Formation of Standing Ultrathin Nanosheets out of Uniform Ge/Si Superlattice Nanowires: 《Chinese Physics Letters》2023年第6期27-32,共6页甘鑫安钧洋王军转刘宗光徐骏施毅陈坤基余林蔚; the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.92164201,61921005,61974064,61934004,and 11874198)。; Self-oscillation is an intriguing and omnipresent phenomenon that governs a broad range of growth dynamics and formation of nanoscale periodic and delicate heterostructures.A self-oscillating growth phenomenon of cata...; 关键词：OSCILLATING consuming sheets

北京下苇甸地区新元古代景儿峪组–寒武纪府君山组界线硅质角砾形成模式被引量：1: 《北京大学学报（自然科学版）》2023年第3期415-426,共12页李辰卿董琳沈冰; 国家自然科学基金(41402025)资助。; 为探讨华北板块在新元古代与寒武纪之间沉积间断后再次接受沉积的具体过程和环境变化,选取北京西山地区下苇甸剖面青白口系景儿峪组和下寒武统府君山组的硅质沉积作为研究对象,通过沉积学、岩石学及地球化学分析,发现景儿峪组顶部硅质...; 关键词：景儿峪组府君山组古风化壳 GE/SI 稀土元素

新型锗源环栅线隧穿晶体管结构设计及优化: 《固体电子学研究与进展》2022年第6期441-448,共8页糜昊马鑫苗渊浩芦宾; 国家自然科学基金资助项目(62004119);山西省应用基础研究计划资助项目(201901D211400)。; 设计了一种锗源环栅线隧穿晶体管(GAA-LTFET),并采用TCAD工具对其工作原理进行了分析,通过双栅功函数技术抑制寄生点隧穿机制,消除了转移电流曲线上的驼峰现象,提高器件特性。此外,还针对源区掺杂浓度和沟道厚度等关键参数进行了分析和...; 关键词：隧穿场效应晶体管(TFETs) 线隧穿 Ge/Si异质结环栅亚阈值摆幅

Ge/Si_(x)Ge_(1-x)衬底620 nm半导体激光器的特性被引量：2: 《激光与光电子学进展》2022年第19期227-233,共7页林涛解佳男穆妍李亚宁孙婉君张霞霞杨莎米帅; 陕西省重点研发计划(2020GY044);陕西省创新团队支持计划(2021TD25);西安市科技计划(2020KJRC0077,2019219814SYS013CG035)。; 短波长红光激光是激光显示、生物医学等应用领域急需开发的一种新波段光源。基于Ge/Si_(x)Ge_(1-x)衬底设计并模拟分析了一种波长为620 nm的红光半导体激光器。该激光器使用Ge衬底以及Si_(x)Ge_(1-x)基体层,通过改变Si_(x)Ge_(1-x)层中...; 关键词：激光器半导体激光器短波长红光激光晶格调制 Ge/Si_(x)Ge_(1-x)衬底

青藏高原东缘地热活动对河流水、碳输送影响被引量：4: 《中国科学：地球科学》2022年第5期932-941,共10页钟君李思亮李铮朱雪涛易沅壁马婷婷徐胜刘丛强; 天津市杰出青年科学基金项目(编号:18JCJQJC46200);国家自然科学基金项目(批准号:41925002、41803007);中国地震科学实验场项目(编号:2019CSES0104)资助。; 造山带地区显著的地热活动对地表过程产生显著且深远的影响,而地热活动对河流水、碳输送的影响仍鲜有报道.据此,本研究对青藏高原东缘温泉和河流水进行了采集,并对其化学组成、溶解无机碳(DIC)的稳定及放射性碳同位素组成(δ^(13)C_(DIC...; 关键词：水热活动 Δ^(14)C_(DIC) Ge/Si比值青藏高原变质碳

Metamorphic fluxes of water and carbon in rivers of the eastern Qinghai-Tibetan Plateau被引量：2: 《Science China Earth Sciences》2022年第4期652-661,共10页Jun ZHONG Siliang LI Zheng LI Xuetao ZHU Yuanbi YI Tingting MA Sheng XU Congqiang LIU; supported by the Tianjin Science Fund for Distinguished Young Scholars(Grant No.18JCJQJC46200);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.41925002&41803007);China Seismic Experimental Site(Grant No.2019CSES0104)。; Geothermal activities are common in active orogenic zones and play an important role in surface-earth geochemical processes.Here we analyzed the water chemical compositions,stable and radioactive carbon isotopes of di...; 关键词：Geothermal activities Δ^(14)CDIC Ge/Si ratio Qinghai-Tibetan Plateau Metamorphic carbon

Ge/Si异质键合界面纳米级氧化层对Ge/Si异质结光电特性调控机制被引量：1: 《硅酸盐学报》2021年第1期180-188,共9页彭强柯海鹏李杏莲林鑫柯少颖周锦荣; 国家自然科学基金(62004087);福建省自然科学基金(2020J01815);漳州市自然科学基金(ZZ2020J32);闽南师范大学校长基金(KJ19014);教育部产学合作协同育人项目(201802071003,201901253005,201901256013)。; 由于Ge/Si存在4.2%晶格失配,Si基外延Ge中的穿透位错密度(TDD)极高,导致器件暗电流偏大。低温Ge/Si异质键合可以通过抑制失配位错传播降低Ge薄膜中的TDD,在高质量大失配薄膜制备方面展现出巨大的潜力。然而,Ge/Si键合界面由于亲水反应...; 关键词：锗/硅异质键合晶格失配界面氧化层电场

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