HFO2薄膜

作品数：65被引量：149H指数：6
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HfO_2基阻变存储器的电极效应（英文）
《稀有金属材料与工程》2015年第11期2642-2645,共4页谭婷婷 郭婷婷 李小晶 陈曦 冯丽萍 刘正堂 
National Natural Science Foundation of China(51202196);Northwestern Polytechnical University(NPU)Foundation for Fundamental Research(JC201111);Research Fund of the State Key Laboratory of Solidification Processing(NWPU)(58-TZ-2011);"111"Project(B08040)
研究了Cu/HfO_2/ITO和TiN/HfO_2/ITO_2种结构阻变存储器件的电阻转变特性。2种结构均表现出稳定的、可重复的双极电阻转变行为。Cu/HfO_2/ITO器件的电阻转变机制是Cu导电细丝的形成,而对于TiN/HfO_2/ITO器件,在TiN顶电极和HfO_2薄膜中...
关键词：HFO2薄膜 电阻转变机制 金属细丝 氧空位 
水热合成法制备HfO_2薄膜(英文)
《稀有金属材料与工程》2010年第S2期52-56,共5页沈军 王生钊 王晓栋 张志华 周斌 吴广明 
Supported by Chinese National Foundation of High Technology (2008AA8041606);Shanghai Key Laboratory of Special Artificial Microstructure Materials and Technology (07DZ22302);Shanghai Educational Development Foundation (2007CG26);Program for Young Excellent Talents in Tongji University (2006KJ052)
以HfOCl2·8H2O为前驱体采用水热合成法制备了HfO2溶胶,采用旋涂法制备了HfO2-PVP薄膜。利用透射电镜和粒度分析仪观察和表征HfO2溶胶的微观结构和粒度分布。实验发现,通过调整不同的水热合成温度、反应物前驱体浓度、溶液的pH值和水热...
关键词：HFO2薄膜 水热合成 高折射率 HfO2-PVP薄膜 
薄膜厚度对HfO_2薄膜残余应力的影响被引量：9
《稀有金属材料与工程》2007年第3期412-415,共4页申雁鸣 贺洪波 邵淑英 范正修 邵建达 
国家"863"计划项目资助(2005AA842040)
HfO2薄膜是用电子束蒸发方法制备的,利用ZYGO干涉仪测量了基片镀膜前后曲率半径的变化,计算了薄膜应力。对样品进行了XRD测试,讨论了膜厚对薄膜残余应力的影响。结果发现不同厚度HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随薄膜厚度的增加...
关键词：HFO2薄膜 残余应力 膜厚 电子束蒸发 
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