ICP刻蚀

作品数：93被引量：215H指数：7
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基于磁控溅射和ICP刻蚀的RB-SiC表面平坦化工艺被引量：1
《光子学报》2018年第3期1-7,共7页赵杨勇 刘卫国 惠迎雪 
国防基础科研项目(No.JCKY2016208A002);陕西省科技厅重点实验室项目(No.2013SZS14-Z02);陕西省教育厅重点实验室科研计划项目(No.15JS032)资助~~
采用射频磁控溅射技术在RB-SiC表面沉积Si平坦化层,通过正交试验研究了射频功率、Ar流量和工作气压三个因素对薄膜表面质量和形貌的影响规律,以获取最佳的薄膜沉积参数.射频功率120 W、工作气压1.2Pa和Ar流量40sccm条件下获得了最佳质...
关键词：光学制造 超光滑表面 射频磁控溅射 RB-SIC Si平坦化层 正交试验 ICP刻蚀 表面粗糙度 
ICP刻蚀Si/PMMA选择比工艺研究被引量：2
《微处理机》2014年第1期9-11,14,共4页虎将 蔡长龙 刘卫国 巩燕龙 
国防基础研究项目(A0920110019);国防基础科研计划资助(A0920110016)
为了将聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)上的图案等比例的转移到硅基材料上,对基于感应耦合等离子体技术(Inductively Coupled Plasma,ICP)的Si和PMMA的刻蚀速率进行了研究。结合英国牛津仪器公司的ICP180刻蚀系统,以SF6和O2混合气体为反应气体,...
关键词：等离子体刻蚀 SI PMMA选择比 图层转移 
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