II-VI族化合物

作品数：3被引量：5H指数：2
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ZnCl_2掺杂n型ZnSe的分子束外延生长被引量：2
《微电子学》2012年第6期881-884,共4页张家奇 杨秋旻 赵杰 崔利杰 刘超 曾一平 
国家自然科学基金资助项目(60876004);北京市自然科学基金资助项目(2123065)
利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSe∶Cl单晶薄膜。研究发现,掺入ZnCl2后,ZnSe外延层的结晶质量和表面形貌与本征ZnSe外延层相比变差,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnSe(004)衍射峰...
关键词：硒化锌 N型掺杂 分子束外延 II-VI族化合物半导体 
II-VI族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展被引量：2
《材料工程》2011年第6期87-91,共5页郝建伟 查钢强 介万奇 
国家自然科学基金资助项目(50872111,50902113)
简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量...
关键词：Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 量子结构 激子效应 量子尺寸效应 
纳米级的一维II-VI族化合物的合成及其电子结构研究(英文)被引量：1
《光散射学报》2005年第3期307-308,共2页S. K. Hark 
Various single crystalline IIB-VIA one-dimensional nanostructures have been fabricated using thermal evaporation. Although these nanostructures possess large amount of unpassivated surface, it does not lead to dissoci...
关键词：Ⅱ-Ⅵ族化合物 纳米技术 电子结构 晶体结构 热量蒸发 激发子分裂 
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